第一章 前言 | 第1-15页 |
§1-1 全球能源形势 | 第9-10页 |
1-1-1.能源危机 | 第9-10页 |
1-1-2.太阳能的优势 | 第10页 |
§1-2 太阳电池的发展 | 第10-14页 |
1-2-1.太阳电池发展历史和现状 | 第10-12页 |
1-2-2.太阳电池的研究概况 | 第12-13页 |
1-2-3.世界太阳电池的分类及份额 | 第13-14页 |
参考文献 | 第14-15页 |
第二章 硅太阳电池的基本原理 | 第15-24页 |
§2-1 光电转换过程 | 第15-18页 |
2-1-1.光的反射与折射 | 第15页 |
2-1-2.半导体中的光吸收 | 第15-16页 |
2-1-3.PN结的形成 | 第16-17页 |
2-1-4.PN结的光生伏特效应 | 第17-18页 |
§2-2 硅太阳电池转换效率的影响因素 | 第18-23页 |
2-2-1.电池的伏安特性 | 第18-19页 |
2-2-2.影响电池效率的因素 | 第19-20页 |
2-2-3.半导体中的复合过程 | 第20-23页 |
参考文献 | 第23-24页 |
第三章 晶体硅中氧碳杂质的性质 | 第24-38页 |
§3-1 晶体硅中氧的性质概述 | 第24-30页 |
3-1-1.硅中氧的基本性质 | 第24-25页 |
3-1-2.热生施主效应 | 第25-26页 |
3-1-3.硅中的氧沉淀 | 第26-30页 |
§3-2 晶体硅中碳的性质概述 | 第30-33页 |
3-2-1.碳的引入与控制方法 | 第30-31页 |
3-2-2.碳的基本性质 | 第31页 |
3-2-3.碳对硅材料和器件的影响 | 第31-32页 |
3-2-4.碳对硅中氧沉淀的影响 | 第32-33页 |
§3-3 铸造多晶硅的基本特性概述 | 第33-35页 |
§3-4 本文的主要研究内容 | 第35页 |
参考文献 | 第35-38页 |
第四章 实验工艺及测试方法 | 第38-45页 |
§4-1 实验工艺 | 第38-41页 |
4-1-1.样品预处理 | 第38页 |
4-1-2.扩散制结 | 第38-40页 |
4-1-3.电极制备 | 第40-41页 |
4-1-4.氮化硅膜制备 | 第41页 |
§4-2 测试方法 | 第41-44页 |
4-2-1 少子寿命测试(PCD) | 第41-43页 |
4-2-2 红外吸收光谱(IR) | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第五章 热处理对太阳电池用多晶硅中氧碳特性及少子寿命的影响 | 第45-59页 |
§5-1 不同气氛短时热处理对多晶硅特性的影响 | 第45-48页 |
5-1-1.实验样品 | 第45页 |
5-1-2.实验过程 | 第45-46页 |
5-1-3.实验结果与讨论 | 第46-48页 |
§5-2 单步退火对多晶硅片特性的影响 | 第48-51页 |
5-2-1.实验样品 | 第48页 |
5-2-2.实验过程 | 第48-49页 |
5-2-3.实验结果与讨论 | 第49-51页 |
§5-3 两步退火对多晶硅特性的研究 | 第51-55页 |
5-3-1.实验样品 | 第51页 |
5-3-2.实验过程 | 第51页 |
5-3-3.实验结果与讨论 | 第51-55页 |
§5-4 三步退火对多晶硅特性的影响 | 第55-58页 |
5-4-1.实验样品 | 第55页 |
5-4-2.实验过程 | 第55页 |
5-4-3.实验结果与讨论 | 第55-58页 |
§5-5 小结 | 第58页 |
参考文献 | 第58-59页 |
第六章 氮化硅的性能及在多晶硅太阳电池上钝化及减反射研究 | 第59-76页 |
§6-1 氮化硅的制备方法、性能及应用 | 第59-66页 |
6-1-1.氮化硅的常见制备方法 | 第59页 |
6-1-2.等离子体化学气相沉积法(PECVD) | 第59-60页 |
6-1-3.氮化硅的性能 | 第60-62页 |
6-1-4.氮化硅在多晶硅太阳电池上的作用 | 第62-66页 |
§6-2 氮化硅薄膜性能研究 | 第66-70页 |
6-2-1.实验样品 | 第66页 |
6-2-2.实验过程 | 第66页 |
6-2-3.实验结果与讨论 | 第66-70页 |
§6-3 退火条件对氮化硅薄膜的影响 | 第70-73页 |
6-3-1.实验样品 | 第70页 |
6-3-2.实验过程 | 第70页 |
6-3-3.实验结果与讨论 | 第70-73页 |
§6-4 小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-76页 |
第七章 结论 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第78页 |