| 第一章 引言 | 第1-13页 |
| ·课题来源及研究意义 | 第8-11页 |
| ·国内外发展动态 | 第11-12页 |
| ·本课题的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 Si/SiGe异质结性质 | 第13-23页 |
| ·Si、Ge 体材料的能带结构 | 第13页 |
| ·SiGe 合金材料、薄膜的能带结构 | 第13-17页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的晶格常数以及异质结界面的晶格失配 | 第13-14页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的禁带宽度 | 第14-16页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的电子 | 第16-17页 |
| ·Si/Si_(1-x)Ge_x异质结的能带配置 | 第17页 |
| ·应变 Si 的特性 | 第17-23页 |
| ·应变Si 的概念 | 第17-19页 |
| ·应变对Si 能带结构的影响 | 第19-20页 |
| ·应变Si 的电子/空穴迁移率 | 第20页 |
| ·应变Si、弛豫Si_(1-x)Ge_x异质结的能带配置 | 第20-23页 |
| 第三章 应变 Si 沟道 PMOSFET 模拟与优化设计 | 第23-38页 |
| ·应变 Si 沟道 MOSFET 概述 | 第23-24页 |
| ·PMOS 优化设计 | 第24-33页 |
| ·器件结构 | 第24页 |
| ·器件模拟和参数优化 | 第24-33页 |
| ·模拟结果及分析 | 第33-38页 |
| ·常温下300K 时载流子迁移率分布 | 第33-34页 |
| ·常温下300K 时输出特性曲线 | 第34-36页 |
| ·最终结果分析 | 第36-37页 |
| ·PMOS 器件的结构改善 | 第37-38页 |
| 第四章 SiGe MOSFETs N~+外延材料生长的实验 | 第38-44页 |
| ·外延生长的发展概况 | 第38-40页 |
| ·N~+ SiGe/Si材料生长的实验 | 第40-44页 |
| ·主要研究内容 | 第40-41页 |
| ·研究方法 | 第41页 |
| ·主要实验结果 | 第41-44页 |
| 第五章 Si/SiGe异质结MOSFETs器件制备实验 | 第44-61页 |
| ·SiGe 异质结MOSFETs 器件研究概况 | 第44-49页 |
| ·应变Si MOSFETs 器件制备实验 | 第49-54页 |
| ·器件结构 | 第49-50页 |
| ·实验流程 | 第50-51页 |
| ·结果及讨论 | 第51-54页 |
| ·注入成阱工艺实验 | 第54-61页 |
| ·实验步骤 | 第54-56页 |
| ·实验数据分析 | 第56-59页 |
| ·实验结论 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 附录A、 SIGE HCMOS 工艺流程 | 第64页 |
