| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 1 绪论 | 第13-37页 |
| ·半导体技术的发展 | 第13-14页 |
| ·silicon germanium(SiGe)半导体技术 | 第14-19页 |
| ·SiGe双极型器件 | 第16-18页 |
| ·SiGe-HBT的主要应用 | 第18-19页 |
| ·Jazz半导体公司的SiGe技术 | 第19页 |
| ·无线电收发机现状及发展综述 | 第19-28页 |
| ·接收器(RX)架构 | 第20-25页 |
| ·发射器(TX)结构 | 第25-28页 |
| ·基于SiGe工艺的无线电收发机链路上各子模块设计可行性分析 | 第28-37页 |
| 2 SiGe射频前端的研究与实现 | 第37-68页 |
| ·基于SiGe工艺的高速分频器设计及其带宽优化方法研究 | 第37-45页 |
| ·概述 | 第37-38页 |
| ·模型提取以及理论分析 | 第38-43页 |
| ·40GHz静态分频器优化设计与测试结果分析 | 第43-45页 |
| ·总结 | 第45页 |
| ·一个基于SiGe工艺的6GHz双模预分频器 | 第45-53页 |
| ·概述 | 第45-46页 |
| ·多模预分频器常用拓扑分析 | 第46-48页 |
| ·电路设计 | 第48-50页 |
| ·测试结果分析 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第52-53页 |
| ·基于热噪声消除技术的宽带低噪声放大器 | 第53-60页 |
| ·概述 | 第53-54页 |
| ·宽带噪声消除技术 | 第54-55页 |
| ·采用增益加强结构的宽带噪声消除电路 | 第55-57页 |
| ·电路实现与仿真结果 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·2.4GHz全集成A/AB类功率放大器 | 第60-68页 |
| ·概述 | 第60页 |
| ·阻抗匹配 | 第60-64页 |
| ·功率放大器电路设计 | 第64-65页 |
| ·仿真结果以及分析 | 第65-67页 |
| ·总结 | 第67-68页 |
| 3 结论与展望 | 第68-71页 |
| ·论文总结 | 第68-70页 |
| ·未来工作展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 作者简介 | 第77页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |
