| 第一章 引言 | 第1-12页 |
| §1．1 半导体激光器及面发射半导体激光器的发展概述 | 第7-9页 |
| §1．2 45°偏转镜面发射列阵半导体激光器的特性及研究意义 | 第9-10页 |
| §1．3 本论文的主要工作内容与研究进展 | 第10-12页 |
| 第二章 45°偏转镜面发射半导体激光器结构设计与分析 | 第12-30页 |
| §2．1 45°偏转镜面发射激光器外延层结构设计与分析 | 第12-23页 |
| 2．1-1 晶格失配、应变及临界厚度 | 第13-15页 |
| 2．1-2 激光器外延层中的应变量子阱的设计 | 第15-18页 |
| 2．1-3 波导结构的优化设计 | 第18-20页 |
| 2．1-4 限制层结构的优化设计 | 第20-23页 |
| §2．2 半导体激光器腔面镀膜设计 | 第23-25页 |
| §2．3 45°偏转镜面发射半导体激光器腔长与条宽设计 | 第25-26页 |
| §2．4 激光器中45°偏转镜设计 | 第26-30页 |
| 2．4-1 激光器中45°偏转镜结构分类 | 第26-28页 |
| 2．4-2 激光器中45°偏转镜的优化设计 | 第28-30页 |
| 第三章 45°偏转镜面发射激光器外延层生长工艺及参数研究 | 第30-44页 |
| §3．1 V80H分子束外延设备 | 第30-32页 |
| §3．2 980nm半导体激光器外延层实验中条件及参数优化 | 第32-38页 |
| §3．3 半导体激光器外延层生长工艺过程 | 第38-40页 |
| §3．4 激光器外延层的检测和分析 | 第40-44页 |
| 第四章 45°偏转镜面的制作工艺研究 | 第44-56页 |
| §4．1 光刻技术 | 第44-45页 |
| §4．2 湿法刻蚀 | 第45-50页 |
| §4．3 溅射离子刻蚀 | 第50-56页 |
| 第五章 45°偏转镜面发射列阵半导体器的制备过程 | 第56-62页 |
| §5．1 45°偏转镜面发射列阵半导体激光器整体工艺过程概述 | 第56页 |
| §5．2 组合式面发射列阵半导体激光器 | 第56-60页 |
| §5．3 折叠腔面发射列阵半导体激光器 | 第60-62页 |
| 结束语 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
