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硅光子芯片的光耦合及测试关键技术研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第8-17页
    1.1 硅光子技术的发展现状第8-13页
    1.2 硅光子芯片耦合技术的最新进展第13-15页
    1.3 本课题的必要性及本文章节安排第15-17页
第2章 SOI光波导理论及耦合结构设计第17-29页
    2.1 光波导模式理论第17-19页
    2.2 BPM和FDTD算法第19-22页
        2.2.1 BPM(束传播法)第19-20页
        2.2.2 FDTD(时域有限差分法)第20-22页
    2.3 光波导耦合结构设计第22-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第3章 耦合结构实验测试第29-41页
    3.1 耦合封装测试实验第29-33页
        3.1.1 耦合测试系统第29-33页
    3.2 耦合测试实验结果第33-37页
    3.3 耦合实验结果及可靠性分析第37-40页
        3.3.1 耦合结果分析第37-39页
        3.3.2 可靠性分析第39-40页
    3.4 本章小结第40-41页
第4章 MZI型硅光调制器理论第41-49页
    4.1 等离子色散效应理论第41-43页
    4.2 MZI型硅光调制器第43-48页
        4.2.1 MZI型调制器的光学结构特性第43-46页
        4.2.2 MZI型调制器的电学结构特性第46-48页
    4.3 本章小结第48-49页
第5章 MZI型硅波导调制器封装测试第49-59页
    5.1 MZI型PDM-QPSK硅波导调制器方案第49-50页
    5.2 IQ调制器的偏置电压的测试第50-53页
    5.3 硅波导调制器的眼图分析第53-58页
    5.4 本章小结第58-59页
第6章 总结与展望第59-60页
参考文献第60-62页
致谢第62-63页
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文第63页

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