| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 场效应晶体管的研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 新型材料——二维材料 | 第12-17页 |
| 1.3 单层GaTe的研究进展 | 第17-20页 |
| 1.4 本文的主要工作及内容安排 | 第20-21页 |
| 第2章 理论方法与GaTe的电子结构 | 第21-35页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-25页 |
| 2.1.1 密度泛函理论基本思想 | 第21-23页 |
| 2.1.2 交换关联势 | 第23-24页 |
| 2.1.3 赝势平面波法 | 第24-25页 |
| 2.2 纳米器件电子输运理论 | 第25-28页 |
| 2.2.1 非平衡格林函数 | 第25-26页 |
| 2.2.2 器件中的非平衡格林函数方法 | 第26-28页 |
| 2.3 第一性原理计算软件的选取 | 第28-29页 |
| 2.4 两种块体GaTe的电子结构 | 第29-32页 |
| 2.4.1 截断能与k点测试 | 第29-30页 |
| 2.4.2 m-GaTe块材的电子结构 | 第30-31页 |
| 2.4.3 h-GaTe块材的电子结构 | 第31-32页 |
| 2.5 GaTe结构的转变 | 第32-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 基底对单层GaTe电子结构及稳定性的影响 | 第35-45页 |
| 3.1 单层GaTe的电子结构 | 第35-36页 |
| 3.2 单层GaTe在H-Si(111)与 H-Ge(111)基底上的生长 | 第36-40页 |
| 3.3 单层GaTe在基底CuAg和Au上的生长 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 应力对单层GaTe力学和电学性能的影响 | 第45-59页 |
| 4.1 计算模型与参数 | 第45-46页 |
| 4.2 计算结果与讨论 | 第46-58页 |
| 4.2.1 无应力体系 | 第46-48页 |
| 4.2.2 a方向施加应力 | 第48-51页 |
| 4.2.3 b方向施加应力 | 第51-54页 |
| 4.2.4 双轴应力 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 单层GaTe在场效应晶体管中的应用 | 第59-67页 |
| 5.1 模拟方法及器件模型 | 第59-60页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第60-66页 |
| 5.2.1 掺杂浓度和沟道长度对器件性能的影响 | 第60-64页 |
| 5.2.2 应力对器件性能的影响 | 第64-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结与展望 | 第67-70页 |
| 6.1 工作总结 | 第67-68页 |
| 6.2 工作展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第77页 |