| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| 1.1 太阳电池的概述 | 第9-11页 |
| 1.2 CZTS薄膜电池结构的简介 | 第11-14页 |
| 1.3 基于柔性衬底的CZTS薄膜及其太阳电池研究状况 | 第14-16页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第16-17页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第16-17页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第17页 |
| 1.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜的制备及其表征方法 | 第18-28页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第19页 |
| 2.1.3 真空蒸发法 | 第19-21页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第21-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第21-22页 |
| 2.2.2 拉曼散射光谱(Raman) | 第22-23页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.2.4 能量色散X射线光谱(EDX) | 第24页 |
| 2.2.5 半导体光学性能的测试 | 第24-26页 |
| 2.2.6 半导体的霍尔测试原理 | 第26-27页 |
| 2.3 实验试剂 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于柔性钼衬底的CZTS薄膜制备及其性能研究 | 第28-44页 |
| 3.1 基于柔性钼衬底的CZTS薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 3.1.1 清洗钼片 | 第28-29页 |
| 3.1.2 溶胶-凝胶法制备CZTS预置层薄膜 | 第29页 |
| 3.1.3 硫化预置层获得CZTS薄膜 | 第29-30页 |
| 3.2 厚度对CZTS薄膜性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 薄膜物相结构的分析 | 第30-32页 |
| 3.2.2 薄膜表面形貌的分析 | 第32页 |
| 3.2.3 薄膜组成成分的分析 | 第32-33页 |
| 3.3 硫化温度对CZTS薄膜性能的影响 | 第33-39页 |
| 3.3.1 薄膜物相结构的分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2 薄膜表面形貌的分析 | 第35-36页 |
| 3.3.3 薄膜组成成分的分析 | 第36-37页 |
| 3.3.4 薄膜光电学性能的分析 | 第37-39页 |
| 3.4 硫化升温速率对CZTS薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| 3.4.1 薄膜物相结构的分析 | 第39-41页 |
| 3.4.2 薄膜表面形貌的分析 | 第41-42页 |
| 3.4.3 薄膜组成成分的分析 | 第42页 |
| 3.4.4 薄膜光电学性能的分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于柔性钼衬底的CZTS薄膜太阳电池的制备及其性能研究t | 第44-56页 |
| 4.1 太阳电池的工作原理以及光电性能的测试 | 第44页 |
| 4.2 CZTS薄膜太阳电池的制备及各层性能的表征 | 第44-50页 |
| 4.2.1 底电极柔性钼片 | 第45页 |
| 4.2.2 吸收层CZTS薄膜 | 第45页 |
| 4.2.3 缓冲层CdS | 第45-47页 |
| 4.2.4 高阻窗口层i-ZnO | 第47-48页 |
| 4.2.5 低阻窗口层ITO | 第48-49页 |
| 4.2.6 上电极铝 | 第49-50页 |
| 4.3 CZTS薄膜太阳电池的性能研究 | 第50-53页 |
| 4.3.1 CZTS薄膜的厚度对CZTS薄膜太阳电池的影响 | 第50-51页 |
| 4.3.2 CZTS薄膜的硫化温度对CZTS薄膜太阳电池初影响 | 第51-52页 |
| 4.3.3 CZTS薄膜的硫化升温速率对CZTS薄膜太阳电池的影响 | 第52-53页 |
| 4.4 CZTS薄膜太阳电池性能的机理分析 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 基于柔性钼衬底的无Cd环保型CZTS薄膜太阳电池的研究 | 第56-59页 |
| 5.1 无Cd环保型缓冲层In2S3的制备48' | 第56-58页 |
| 5.2 无Cd环保型CZTS薄膜太阳电池研究 | 第58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第67页 |
