| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-17页 |
| 1.1 增减材复合制造(ASHM)介绍 | 第6-11页 |
| 1.1.1 增减材复合制造原理 | 第6-7页 |
| 1.1.2 ASHM研究现状 | 第7-9页 |
| 1.1.3 ASHM缺陷检测 | 第9-11页 |
| 1.2 基于亚表面缺陷的涡流检测(ECD)研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 ECD的主要特点 | 第13-15页 |
| 1.3.1 趋肤效应 | 第13-14页 |
| 1.3.2 提离效应 | 第14-15页 |
| 1.3.3 边界效应 | 第15页 |
| 1.4 课题研究背景及意义 | 第15-16页 |
| 1.5 论文的主要内容 | 第16-17页 |
| 2 ECD基本理论及有限元仿真基础 | 第17-29页 |
| 2.1 ECD的阻抗分析法 | 第17-19页 |
| 2.2 ECD的电磁感应理论基础 | 第19-26页 |
| 2.2.1 ECD中时谐电磁场的边值问题 | 第19-20页 |
| 2.2.2 无缺陷导体的涡流密度分布解析模型 | 第20-26页 |
| 2.3 ECD的有限元仿真基础 | 第26-29页 |
| 3 ASHM结合ECD的可行性研究 | 第29-44页 |
| 3.1 ASHM结合ECD原理 | 第29-31页 |
| 3.2 实验试样及实验设备 | 第31-37页 |
| 3.2.1 ASHM成形材料 | 第31-32页 |
| 3.2.2 AM成形设备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 无损检测设备 | 第33-35页 |
| 3.2.4 ASHM试样制备方案 | 第35-36页 |
| 3.2.5 ASHM试样缺陷检测方案 | 第36-37页 |
| 3.3 实验结果及有限元仿真分析 | 第37-42页 |
| 3.3.1 激励频率对ECD信号的影响分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 提离量对ECD信号的影响分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 缺陷尺寸对检测结果的影响分析 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 ASHM条件下缺陷深度对ECD信号的影响研究 | 第44-56页 |
| 4.1 前言 | 第44页 |
| 4.2 涡流密度沿导体深度方向的变化规律 | 第44-46页 |
| 4.2.1 不同激励频率涡流密度沿导体深度的变化规律 | 第44-45页 |
| 4.2.2 不同提离量涡流密度沿导体深度的变化规律 | 第45-46页 |
| 4.3 实验试样及实验设备 | 第46-50页 |
| 4.3.1 实验材料及设备 | 第46-47页 |
| 4.3.2 试样制备及检测方法 | 第47-50页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.4.1 激励频率对不同尺寸缺陷ECD信号的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.2 缺陷深度对不同激励频率ECD信号的影响 | 第51-53页 |
| 4.4.3 缺陷深度对不同提离量ECD信号的影响 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 ASHM条件下消除ECD边界效应的研究 | 第56-63页 |
| 5.1 前言 | 第56页 |
| 5.2 实验试样及实验设备 | 第56-57页 |
| 5.3 有限元仿真模型的建立 | 第57-58页 |
| 5.4 结果和讨论 | 第58-62页 |
| 5.4.1 实验结果分析 | 第58页 |
| 5.4.2 有限元仿真结果分析 | 第58-61页 |
| 5.4.3 ASHM条件下消除边界效应的检测方式 | 第61-62页 |
| 5.5 本章小节 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
