抗辐照SRAM存储器的设计
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·课题背景 | 第11-13页 |
| ·宇宙射线 | 第11-12页 |
| ·太阳风 | 第12页 |
| ·极光辐射 | 第12页 |
| ·范·艾伦辐射带 | 第12-13页 |
| ·电离辐射效应 | 第13-15页 |
| ·单粒子翻转效应SEU | 第14-15页 |
| ·单粒子闩锁效应SEL | 第15页 |
| ·国内外SRAM加固技术的相关研究 | 第15-17页 |
| ·本文主要工作及研究成果 | 第17-18页 |
| ·论文的组织结构 | 第18-19页 |
| 第二章 抗辐射SRAM结构及基本加固技术 | 第19-33页 |
| ·SRAM的结构及读写可靠性分析 | 第19-25页 |
| ·SRAM加固方法 | 第25-32页 |
| ·单粒子翻转SEU加固 | 第26-30页 |
| ·单粒子闩锁SEL加固 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 抗辐射SRAM存储器电路设计 | 第33-48页 |
| ·SRAM全定制设计流程及工具 | 第33-35页 |
| ·SRAM全定制设计流程 | 第33-34页 |
| ·全定制设计工具 | 第34-35页 |
| ·抗辐射SRAM整体时序设计 | 第35-37页 |
| ·抗辐射存储单元电路设计 | 第37-40页 |
| ·外围电路设计 | 第40-47页 |
| ·预充电路 | 第40-42页 |
| ·敏感放大器 | 第42-45页 |
| ·译码电路 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 抗辐射SRAM版图设计 | 第48-55页 |
| ·整体版图布局与规划 | 第48-50页 |
| ·版图级的加固方法 | 第50-51页 |
| ·版图级的SEU加固 | 第50页 |
| ·版图级的SEL加固 | 第50-51页 |
| ·存储体各个模块版图设计 | 第51-54页 |
| ·SRAM存储单元版图 | 第51页 |
| ·SRAM数据通路版图 | 第51-52页 |
| ·译码部分版图 | 第52-53页 |
| ·时钟控制部分 | 第53-54页 |
| ·整体的版图 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 抗辐射SRAM模拟与验证 | 第55-62页 |
| ·抗辐射SRAM电路模拟 | 第55-57页 |
| ·抗辐射SRAM版图验证与模拟 | 第57-60页 |
| ·DRC和ERC验证 | 第57页 |
| ·LVS验证 | 第57-58页 |
| ·寄生参数的提取 | 第58-59页 |
| ·版图模拟结果 | 第59-60页 |
| ·对比 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第六章 抗辐射SRAM时序和物理模型提取 | 第62-67页 |
| ·抗辐射SRAM时序模型的建立 | 第62-64页 |
| ·抗辐射SRAM物理模型的建立 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第七章 结束语 | 第67-68页 |
| ·工作总结 | 第67页 |
| ·工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第71页 |
