| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第13-15页 |
| 1.2 有机发光场效应晶体管的发展历程 | 第15-21页 |
| 1.2.1 单极型有机发光场效应的发展历程 | 第15-18页 |
| 1.2.2 双极型有机发光场效应晶体管的发展历程 | 第18-20页 |
| 1.2.3 新型发光场效应晶体管的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.3 有机发光晶体管面临的主要问题 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的创新点及研究内容 | 第22-25页 |
| 第2章 有机发光场效应晶体管的物理基础 | 第25-41页 |
| 2.1 有机半导体中的载流子及激子行为 | 第25-30页 |
| 2.1.1 载流子的类型 | 第25-27页 |
| 2.1.2 载流子的注入 | 第27页 |
| 2.1.3 载流子的传输 | 第27页 |
| 2.1.4 激子的形成 | 第27-28页 |
| 2.1.5 激子的复合 | 第28-29页 |
| 2.1.6 激子的传输 | 第29-30页 |
| 2.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第30-32页 |
| 2.2.1 晶体管的器件结构 | 第30页 |
| 2.2.2 晶体管的工作原理 | 第30-32页 |
| 2.3 有机发光场效应晶体管的工作原理 | 第32-34页 |
| 2.4 有机发光场效应晶体管的性能表征 | 第34-41页 |
| 第3章 基于氧化钼电荷产生层的有机发光场效应晶体管 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 MoOx与Pentacene之间的电荷转移 | 第42-43页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第43-52页 |
| 3.3.1 器件制备 | 第43-44页 |
| 3.3.2 氧化钼与TPBI对于器件性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.3 器件的工作机理 | 第48-49页 |
| 3.3.4 像素化OLEFET的制备 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 基于有机异质结电荷产生层的高效有机发光场效应晶体管 | 第53-69页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 HAT-CN与p型半导体之间的电荷转移 | 第53-54页 |
| 4.3 基于HAT-CN与NPB异质结电荷产生层的OLEFET | 第54-67页 |
| 4.3.1 器件制备 | 第54-56页 |
| 4.3.2 HAT-CN厚度的优化 | 第56-59页 |
| 4.3.3 异质结电荷产生层对OLEFET电学性能的影响 | 第59-63页 |
| 4.3.4 异质结电荷产生层对OLEFET光学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.5 基于HAT-CN/NPB/HAT-CN双异质结的OLEFET | 第64-65页 |
| 4.3.6 高效红光和蓝光OLEFET的实现 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第5章 激基复合物热活化延迟荧光有机发光场效应晶体管 | 第69-85页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 热活化延迟荧光材料电致发光的研究进展 | 第70-72页 |
| 5.3 基于TCTA:B3PYMPM发光层的有机发光场效应晶体管 | 第72-77页 |
| 5.3.1 传输层与发光层势垒对器件性能的影响 | 第72-75页 |
| 5.3.2 器件工作机理分析 | 第75-77页 |
| 5.4 基于m-MTDATA:OXD-7发光层的有机发光场效应晶体管 | 第77-83页 |
| 5.4.1 激基复合物给受体的选择 | 第77-79页 |
| 5.4.2 给受体比例对OLEFET性能的影响 | 第79-82页 |
| 5.4.3 OLEFET与OLED器件性能比较 | 第82-83页 |
| 5.5 本章小结 | 第83-85页 |
| 第6章 聚乙二醇辅助成膜法制备无机钙钛矿LED | 第85-101页 |
| 6.1 引言 | 第85-86页 |
| 6.2 实验部分 | 第86-88页 |
| 6.2.1 薄膜制备与表征 | 第86-87页 |
| 6.2.2 器件制备与表征 | 第87-88页 |
| 6.3 PEG掺杂CsPbBr3薄膜性质的研究 | 第88-91页 |
| 6.3.1 PEG对CsPbBr3薄膜表面形貌的影响 | 第88-89页 |
| 6.3.2 PEG对CsPbBr3薄膜光学性质的影响 | 第89-90页 |
| 6.3.3 PEG对CsPbBr3薄膜晶体结构的影响 | 第90-91页 |
| 6.4 PEG:CsPbBr3LED的电学特性 | 第91-97页 |
| 6.4.1 PEG掺杂比例优化 | 第91-94页 |
| 6.4.2 前驱体CsBr：PbBr2比例优化 | 第94-97页 |
| 6.5 红光PEG:CsPbBrxI3-xLED的制备 | 第97-99页 |
| 6.6 本章小结 | 第99-101页 |
| 第7章 总结与展望 | 第101-105页 |
| 7.1 总结 | 第101-103页 |
| 7.2 展望 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-125页 |
| 致谢 | 第125-127页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第127-128页 |
