| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第8-13页 |
| 1.2 横向功率MOSFET | 第13-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 横向功率MOSFET耐压技术研究 | 第17-27页 |
| 2.1 RESURF耐压技术 | 第17-20页 |
| 2.2 降低体内场技术 | 第20-23页 |
| 2.3 场板技术 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 具有结型场板的REBULF LDMOS研究 | 第27-48页 |
| 3.1 新型结型场板技术 | 第27-30页 |
| 3.2 器件的结构及机理 | 第30-36页 |
| 3.3 器件静态特性分析 | 第36-39页 |
| 3.4 器件关键参数的研究 | 第39-43页 |
| 3.5 器件工艺流程设计 | 第43-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 具有结型场板的LDMOS研究 | 第48-60页 |
| 4.1 新器件的结构与工作原理分析 | 第48-53页 |
| 4.2 器件的静态特性分析 | 第53-55页 |
| 4.3 关键器件参数的优化 | 第55-57页 |
| 4.4 器件的工艺流程设计 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻读硕士期间的成果 | 第64-65页 |