| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 锑化物材料 | 第11-16页 |
| 1.1.1 锑化物材料基本性质 | 第11-12页 |
| 1.1.2 锑化物材料相关应用及制备技术 | 第12-14页 |
| 1.1.3 锑化物表面再构及位错 | 第14-16页 |
| 1.2 In(GaSb)量子点 | 第16-20页 |
| 1.2.1 In(GaSb)量子点的制备 | 第16-17页 |
| 1.2.2 In(GaSb)量子点的研究进展及应用 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 锑化物MOCVD技术及材料表征方法 | 第21-29页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第21-26页 |
| 2.1.1 MOCVD技术及进展 | 第21-22页 |
| 2.1.2 MOCVD原理及系统组成 | 第22-26页 |
| 2.2 In(GaSb)薄膜结晶质量表征及量子点表征方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 金相显微镜 | 第26页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 In_(1-x)Ga_xSb薄膜和量子点的制备及特性研究 | 第29-48页 |
| 3.1 In_(1-x)Ga_xSb薄膜的制备及生长特性研究 | 第29-38页 |
| 3.1.1 生长温度对薄膜特性的影响 | 第29-32页 |
| 3.1.2 气相Ⅴ/Ⅲ比对薄膜特性的影响 | 第32-35页 |
| 3.1.3 气相Ga/Ⅲ比对薄膜特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.2 InGaSb量子点的MOCVD制备及特性研究 | 第38-44页 |
| 3.2.1 温度对InGaSb量子点形貌的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.2 压强对InGaSb量子点形貌的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.3 生长时间和中断时间的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 其它因素对InGaSb量子点形貌的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.1 缓冲层对InGaSb量子点形貌的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.2 沉积厚度对InGaSb量子点形貌的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GaSb量子点的MOCVD制备及特性研究 | 第48-90页 |
| 4.1 生长温度对GaSb量子点形貌影响 | 第48-54页 |
| 4.1.1 100 mbar下生长温度对量子点形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.1.2 40 mbar下生长温度对量子点形貌的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.3 30 mbar下生长温度对量子点形貌的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 反应压强对GaSb量子点形貌的影响 | 第54-59页 |
| 4.2.1 Sb源流量7.3μmol时压强对量子点形貌的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.2 Sb源流量3.6μmol时压强对量子点形貌的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.3 Sb源流量1.8μmol时压强对量子点形貌的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 气相Ⅴ/Ⅲ比对GaSb量子点形貌的影响 | 第59-64页 |
| 4.3.1 100 mbar下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.2 40 mbar下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响 | 第61-63页 |
| 4.3.3 高压强低源流量下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 生长时间对GaSb量子点形貌的影响 | 第64-69页 |
| 4.4.1 40 mbar下生长时间对量子点形貌的影响 | 第64-67页 |
| 4.4.2 30 mbar下生长时间对量子点形貌的影响 | 第67-69页 |
| 4.5 中断时间对GaSb量子点形貌的影响 | 第69-74页 |
| 4.5.1 40 mbar下中断时间对量子点形貌的影响 | 第69-71页 |
| 4.5.2 低生长温度下中断时间对量子点形貌的影响 | 第71-74页 |
| 4.6 GaSb量子点形貌各向异性的影响因素 | 第74-83页 |
| 4.6.1 源输入流量对GaSb量子点形貌各向异性的影响 | 第74-79页 |
| 4.6.2 反应压强对GaSb量子点形貌各向异性的影响 | 第79-83页 |
| 4.7 Sb保护对GaSb量子点形貌的影响 | 第83-86页 |
| 4.7.1 20 mbar下Sb保护对量子点形貌的影响 | 第83-85页 |
| 4.7.2 40 mbar下Sb保护对量子点形貌的影响 | 第85-86页 |
| 4.8 液滴外延生长模式对GaSb量子点形貌的影响 | 第86-88页 |
| 4.9 本章小结 | 第88-90页 |
| 结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-101页 |
| 作者简介及攻读硕士学位期间科研成果 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
