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In(GaSb)薄膜及量子点结构的MOCVD外延生长

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 锑化物材料第11-16页
        1.1.1 锑化物材料基本性质第11-12页
        1.1.2 锑化物材料相关应用及制备技术第12-14页
        1.1.3 锑化物表面再构及位错第14-16页
    1.2 In(GaSb)量子点第16-20页
        1.2.1 In(GaSb)量子点的制备第16-17页
        1.2.2 In(GaSb)量子点的研究进展及应用第17-20页
    1.3 本论文主要研究内容第20-21页
第二章 锑化物MOCVD技术及材料表征方法第21-29页
    2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术第21-26页
        2.1.1 MOCVD技术及进展第21-22页
        2.1.2 MOCVD原理及系统组成第22-26页
    2.2 In(GaSb)薄膜结晶质量表征及量子点表征方法第26-28页
        2.2.1 金相显微镜第26页
        2.2.2 X射线衍射(XRD)第26-27页
        2.2.3 原子力显微镜(AFM)第27-28页
    2.3 本章小结第28-29页
第三章 In_(1-x)Ga_xSb薄膜和量子点的制备及特性研究第29-48页
    3.1 In_(1-x)Ga_xSb薄膜的制备及生长特性研究第29-38页
        3.1.1 生长温度对薄膜特性的影响第29-32页
        3.1.2 气相Ⅴ/Ⅲ比对薄膜特性的影响第32-35页
        3.1.3 气相Ga/Ⅲ比对薄膜特性的影响第35-38页
    3.2 InGaSb量子点的MOCVD制备及特性研究第38-44页
        3.2.1 温度对InGaSb量子点形貌的影响第38-41页
        3.2.2 压强对InGaSb量子点形貌的影响第41-43页
        3.2.3 生长时间和中断时间的影响第43-44页
    3.3 其它因素对InGaSb量子点形貌的影响第44-47页
        3.3.1 缓冲层对InGaSb量子点形貌的影响第44-45页
        3.3.2 沉积厚度对InGaSb量子点形貌的影响第45-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第四章 GaSb量子点的MOCVD制备及特性研究第48-90页
    4.1 生长温度对GaSb量子点形貌影响第48-54页
        4.1.1 100 mbar下生长温度对量子点形貌的影响第48-50页
        4.1.2 40 mbar下生长温度对量子点形貌的影响第50-52页
        4.1.3 30 mbar下生长温度对量子点形貌的影响第52-54页
    4.2 反应压强对GaSb量子点形貌的影响第54-59页
        4.2.1 Sb源流量7.3μmol时压强对量子点形貌的影响第54-56页
        4.2.2 Sb源流量3.6μmol时压强对量子点形貌的影响第56-57页
        4.2.3 Sb源流量1.8μmol时压强对量子点形貌的影响第57-59页
    4.3 气相Ⅴ/Ⅲ比对GaSb量子点形貌的影响第59-64页
        4.3.1 100 mbar下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响第59-61页
        4.3.2 40 mbar下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响第61-63页
        4.3.3 高压强低源流量下Ⅴ/Ⅲ比对量子点形貌的影响第63-64页
    4.4 生长时间对GaSb量子点形貌的影响第64-69页
        4.4.1 40 mbar下生长时间对量子点形貌的影响第64-67页
        4.4.2 30 mbar下生长时间对量子点形貌的影响第67-69页
    4.5 中断时间对GaSb量子点形貌的影响第69-74页
        4.5.1 40 mbar下中断时间对量子点形貌的影响第69-71页
        4.5.2 低生长温度下中断时间对量子点形貌的影响第71-74页
    4.6 GaSb量子点形貌各向异性的影响因素第74-83页
        4.6.1 源输入流量对GaSb量子点形貌各向异性的影响第74-79页
        4.6.2 反应压强对GaSb量子点形貌各向异性的影响第79-83页
    4.7 Sb保护对GaSb量子点形貌的影响第83-86页
        4.7.1 20 mbar下Sb保护对量子点形貌的影响第83-85页
        4.7.2 40 mbar下Sb保护对量子点形貌的影响第85-86页
    4.8 液滴外延生长模式对GaSb量子点形貌的影响第86-88页
    4.9 本章小结第88-90页
结论第90-92页
参考文献第92-101页
作者简介及攻读硕士学位期间科研成果第101-102页
致谢第102页

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