| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 VO_2的简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 VO_2相变的特征 | 第11页 |
| 1.2.2 VO_2的相变机制 | 第11-13页 |
| 1.3 VO_2的制备情况 | 第13-14页 |
| 1.4 VO_2薄膜的应用 | 第14-15页 |
| 1.5 VO_2在THz技术方面的应用 | 第15-17页 |
| 1.5.1 THz调控技术 | 第15-16页 |
| 1.5.2 基于VO_2的THz调控器件的研究进展 | 第16页 |
| 1.5.3 基于VO_2的电控THz开关的设想 | 第16-17页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 VO_2薄膜的制备技术研究 | 第18-25页 |
| 2.1 VO_2薄膜的物相和形貌表征方法 | 第18页 |
| 2.2 在蓝宝石基片上制备VO_2薄膜 | 第18-22页 |
| 2.3 在Si基底上直接制备VO_2薄膜 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 Si基高相变性能VO_2薄膜的制备和研究 | 第25-42页 |
| 3.1 Al_2O_3缓冲层 | 第25-27页 |
| 3.1.1 Al_2O_3缓冲层的制备 | 第25-26页 |
| 3.1.2 Al_2O_3性能测试 | 第26-27页 |
| 3.2 在Al_2O_3缓冲层上制备Si基VO_2薄膜的研究 | 第27-32页 |
| 3.2.1 电学性能测试分析 | 第27-31页 |
| 3.2.2 形貌表征 | 第31-32页 |
| 3.2.3 XRD物相分析 | 第32页 |
| 3.3 Si基高相变性能VO_2薄膜的研制 | 第32-40页 |
| 3.3.1 物相分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 形貌表征和分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 热相变的研究 | 第35页 |
| 3.3.4 电致相变分析 | 第35-37页 |
| 3.3.5 电容与电压关系测试 | 第37-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-42页 |
| 第四章 基于VO_2薄膜的电控THZ开关器件的研究 | 第42-57页 |
| 4.1 电控THz开关设计 | 第42-45页 |
| 4.1.1 原理 | 第42-43页 |
| 4.1.2 设计仿真 | 第43-45页 |
| 4.2 基于VO_2的电控THz开关器件的制备 | 第45-47页 |
| 4.3 THz开关器件的性能测试 | 第47-55页 |
| 4.3.1 THz时域光谱测试原理 | 第47-49页 |
| 4.3.3 THz开关性能的测试及分析 | 第49-55页 |
| 4.4 小结 | 第55-57页 |
| 第五章 全文结论与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
