基于物联网常关计算应用的RRAM电路设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 物联网与存储器 | 第8-9页 |
| 1.2 存储器的分类与发展 | 第9-10页 |
| 1.3 RRAM国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.4 论文研究内容及安排 | 第13-14页 |
| 2 阻变存储概述 | 第14-24页 |
| 2.1 阻变存储器件的存储原理 | 第14-16页 |
| 2.2 阻变存储器件的电阻转变机制 | 第16-20页 |
| 2.2.1 电化学金属化机制 | 第16-17页 |
| 2.2.2 化学价变化机制 | 第17-18页 |
| 2.2.3 热化学机制 | 第18-19页 |
| 2.2.4 静电/电子机制 | 第19-20页 |
| 2.3 阻变存储单元的结构 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 3 阻变存储器的设计与仿真 | 第24-52页 |
| 3.1 阻变存储器结构 | 第24-25页 |
| 3.2 阻变存储单元的行为级建模 | 第25-28页 |
| 3.3 RRAM阵列设计 | 第28-29页 |
| 3.4 译码电路设计 | 第29-33页 |
| 3.4.1 行译码电路 | 第29-31页 |
| 3.4.2 列译码电路 | 第31-33页 |
| 3.5 读电路 | 第33-38页 |
| 3.5.1 读电路设计 | 第33-35页 |
| 3.5.2 读电路时序及其控制电路设计 | 第35-36页 |
| 3.5.3 读电路仿真 | 第36-38页 |
| 3.6 写驱动电路 | 第38-43页 |
| 3.6.1 写驱动电路设计 | 第38-41页 |
| 3.6.2 写策略与写操作时序 | 第41-43页 |
| 3.7 基准电路设计 | 第43-48页 |
| 3.7.1 基准电流源 | 第43-45页 |
| 3.7.2 带隙基准电压源 | 第45-48页 |
| 3.8 控制逻辑 | 第48-50页 |
| 3.9 RRAM功能仿真 | 第50-51页 |
| 3.10 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 RRAM在基于RSIC-V处理器中的功耗分析 | 第52-60页 |
| 4.1 RISC-V微处理器 | 第52-54页 |
| 4.2 功耗测试及分析 | 第54-57页 |
| 4.2.1 功耗测试 | 第54-55页 |
| 4.2.2 功耗分析 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 总结 | 第60页 |
| 5.2 展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
