| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 深紫外LED的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 深紫外LED所面临的主要问题 | 第14-18页 |
| 1.4 研究内容与本文结构 | 第18-20页 |
| 2 器件结构介绍与模拟参数设定 | 第20-26页 |
| 2.1 Crosslight APSYS模拟软件介绍 | 第20-22页 |
| 2.2 AlGaN基LED模拟结构建立与物理参数的设定 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 阶梯型量子阱结构深紫外LED的研究 | 第26-41页 |
| 3.1 研究目的 | 第26页 |
| 3.2 已提出的多量子阱结构 | 第26-30页 |
| 3.3 器件结构设计与模拟结果分析 | 第30-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 具有三角形电子阻挡层结构的深紫外LED的研究 | 第41-54页 |
| 4.1 研究目的 | 第41页 |
| 4.2 已提出的优化电子阻挡层结构的措施 | 第41-45页 |
| 4.3 器件结构设计与模拟结果分析 | 第45-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第66页 |