| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 专用术语注释表 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11-20页 |
| 1.1.1 磁控溅射制备氮化铜薄膜工艺研究 | 第12-14页 |
| 1.1.2 磁控溅射制备掺杂氮化铜薄膜研究 | 第14-15页 |
| 1.1.3 氮化铜的应用 | 第15-20页 |
| 1.2 3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜的意义 | 第20-21页 |
| 1.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 氮化铜薄膜制备工艺与表征 | 第22-27页 |
| 2.1 氮化铜薄膜制备工艺概述 | 第22-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理 | 第23页 |
| 2.1.2 磁控溅射制备氮化铜薄膜工艺流程 | 第23-24页 |
| 2.2 氮化铜薄膜性能表征方法概述 | 第24-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第25页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱仪 | 第25页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.4 高分辨透射电子显微镜 | 第26页 |
| 2.2.5 紫外可见光光度计 | 第26页 |
| 2.2.6 电化学工作站 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜研究 | 第27-32页 |
| 3.1 3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜的制备 | 第27页 |
| 3.2 3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜讨论与分析 | 第27-31页 |
| 3.2.1 薄膜的结构 | 第27-29页 |
| 3.2.2 薄膜的光学性质 | 第29-30页 |
| 3.2.3 薄膜的电学性质 | 第30-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 钒、铬、锰掺杂氮化铜薄膜研究 | 第32-40页 |
| 4.1 钒、铬、锰掺杂氮化铜薄膜的意义 | 第32页 |
| 4.2 掺杂氮化铜薄膜制备参数 | 第32-33页 |
| 4.3 掺杂氮化铜薄膜计算方法 | 第33页 |
| 4.4 钒、铬、锰掺杂氮化铜薄膜讨论与分析 | 第33-39页 |
| 4.4.1 薄膜的结构 | 第33-35页 |
| 4.4.2 薄膜的形貌 | 第35-36页 |
| 4.4.3 薄膜的光学性质 | 第36-38页 |
| 4.4.4 薄膜的磁学性质 | 第38-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 基于锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器研究 | 第40-49页 |
| 5.1 基于氮化铜薄膜可见光探测器研究意义 | 第40-41页 |
| 5.2 锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器的设计与制备 | 第41-42页 |
| 5.2.1 基于锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器的结构 | 第41页 |
| 5.2.2 锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器的制备 | 第41-42页 |
| 5.3 锰掺杂氮化铜薄膜的测试分析 | 第42-46页 |
| 5.3.1 薄膜成分和结构 | 第42-44页 |
| 5.3.2 薄膜的形貌 | 第44-45页 |
| 5.3.3 薄膜的光学特性 | 第45-46页 |
| 5.4 锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器性能分析 | 第46-47页 |
| 5.5 锰掺杂氮化铜薄膜可见光探测器结果讨论 | 第47-48页 |
| 5.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 Al_2O_3提高氮化铜薄膜一次性光存储密度研究 | 第49-56页 |
| 6.1 提高氮化铜薄膜一次性光存储密度的研究意义 | 第49页 |
| 6.2 基于氮化铜薄膜一次性光存储器件的设计与制备 | 第49-51页 |
| 6.2.1 一次性光存储器件的结构 | 第50页 |
| 6.2.2 基于氮化铜薄膜一次性光存储器件的制备 | 第50-51页 |
| 6.3 基于氮化铜薄膜一次性光存储器件的息存储方法 | 第51-53页 |
| 6.4 氮化铜薄膜激光照射前后的成分和结构 | 第53-54页 |
| 6.5 Al_2O_3保护层改善一次性光存储密度的分析 | 第54-55页 |
| 6.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第64-65页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
