GCT动态雪崩失效机理的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 IGCT国内外发展现状 | 第8-9页 |
| 1.2 动态雪崩的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 功率二极管的动态雪崩 | 第9-11页 |
| 1.2.2 功率MOSFET的动态雪崩 | 第11-12页 |
| 1.2.3 IGBT的动态雪崩 | 第12-13页 |
| 1.2.4 GTO的动态雪崩 | 第13页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第13-14页 |
| 2 GCT动态雪崩的发生机理研究 | 第14-32页 |
| 2.1 GCT的结构特点与关断机理 | 第14-15页 |
| 2.1.1 GCT的结构特点 | 第14页 |
| 2.1.2 GCT的开关机理 | 第14-15页 |
| 2.2 动态雪崩的理论分析 | 第15-18页 |
| 2.2.1 动态雪崩的开启 | 第15-16页 |
| 2.2.2 负微分电阻效应和电流丝的形成 | 第16-17页 |
| 2.2.3 阳极空穴注入的影响 | 第17-18页 |
| 2.3 GCT动态雪崩的发生和电流丝的出现 | 第18-26页 |
| 2.3.1 器件模型和测试电路 | 第18-19页 |
| 2.3.2 关断过程中的动态雪崩发生 | 第19-20页 |
| 2.3.3 电流丝的出现及其变化过程 | 第20-22页 |
| 2.3.4 等离子体边沿移动模型的建立与分析 | 第22-26页 |
| 2.4 焦耳热对GCT电流丝的影响 | 第26-29页 |
| 2.5 电流丝二维模拟的局限性 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 电流丝引起的器件失效机理研究 | 第32-40页 |
| 3.1 大面积IGCT的失效机理 | 第32-35页 |
| 3.2 阳极侧的空穴注入引起的器件失效 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 GCT动态雪崩影响因素的分析 | 第40-54页 |
| 4.1 GCT结构参数对动态雪崩的影响 | 第40-46页 |
| 4.1.1 深p基区结深的影响 | 第40-42页 |
| 4.1.2 阳极掺杂浓度的影响 | 第42-45页 |
| 4.1.3 场阻止层（FS层）的影响 | 第45-46页 |
| 4.2 少子寿命的影响 | 第46-48页 |
| 4.3 外电路参数对GCT动态雪崩的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.1 箝位电感Li对GCT动态雪崩的影响 | 第49页 |
| 4.3.2 杂散电感Li对GCT动态雪崩的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 提高GCT抗动态雪崩能力的措施 | 第51-52页 |
| 4.4.1 器件优化设计 | 第51-52页 |
| 4.4.2 器件应用 | 第52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 发表论文 | 第62页 |
