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粉末冶金法制备新型Si-Al电子封装材料的研究

第一章 文献综述第7-28页
    1.1 电子封装材料的发展概况第7-9页
    1.2 硅铝电子封装材料的发展概况第9-11页
    1.3 金属基复合材料的制备方法第11-16页
        1.3.1 主要的液态法工艺第12-15页
            1.3.1.1 熔渗法第12-13页
            1.3.1.2 喷射沉积法第13-14页
            1.3.1.3 搅拌铸造法第14-15页
        1.3.2 主要的固态法工艺第15-16页
            1.3.2.1 粉末冶金法第15-16页
            1.3.2.2 机械合金化法第16页
    1.4 陶瓷-金属复合材料的热性能物理基础第16-23页
        1.4.1 陶瓷-金属复合材料的热导性能第17-21页
            1.4.1.1 热传导机制第17-18页
            1.4.1.2 颗粒第二相复合材料热导率的计算模型第18-19页
            1.4.1.3 影响陶瓷-金属复合材料热导率的主要因素第19-21页
        1.4.2 陶瓷-金属复合材料的热膨胀系数第21-23页
    1.5 陶瓷-金属复合材料的界面问题第23-27页
        1.5.1 理论分析第24页
        1.5.2 改善浸润性的可能性第24-25页
        1.5.3 陶瓷-金属润湿过程的分类及特征第25-27页
    1.6 本研究论文的目的第27-28页
第二章 实验设计及方案第28-34页
    2.1 加工方法设计第28页
    2.2 实验参数设计第28-31页
        2.2.1 Si-Al复合材料成分的设计第29页
        2.2.2 Si-Al复合材料粒度配比的设计第29-31页
    2.3 实验工艺流程第31-32页
    2.4 性能检测第32-34页
第三章 压制压力对硅铝电子封装材料性能的影响第34-43页
    3.1 压制压力对压坯及烧结体密度的影响第34-39页
        3.1.1 压制压力对压批密度的影响第34-37页
            3.1.1.1 理论模型第34-35页
            3.1.1.2 实验结果与分析第35-37页
        3.1.2 压制压力对烧结体密度的影响第37-39页
    3.2 压制压力对材料性能的影响第39-41页
    3.3 本章小结第41-43页
第四章 烧结工艺对硅铝电子封装材料性能的影响第43-51页
    4.1 烧结工艺对Si-Al复合材料热导性能的影响第43-48页
        4.1.1 烧结温度和时间对Si-Al复合材料热导性能的影响第43-47页
        4.1.2 冷却速度对材料热导性能的影响第47-48页
    4.2 烧结工艺对Si-Al复合材料热膨胀性能的影响第48-50页
    4.3 本章小结第50-51页
第五章 热处理及硅相含量对硅铝电子封装材料性能的影响第51-58页
    5.1 后续热处理工艺对材料性能的影响第51-52页
    5.2 Si含量对材料性能的影响及与理论模型的比较第52-58页
        5.2.1 Si含量对材料热导性能的影响第52-54页
        5.2.2 Si含量对材料热膨胀性能的影响第54-58页
第六章 Si-Al体系润湿性及界面反应的探讨第58-68页
    6.1 复合材料的成形机理第58-61页
        6.1.1 液相烧结理论第58-59页
        6.1.2 复合材料的致密化机理第59-61页
    6.2 Si-Al体系的润湿性能及界面反应第61-67页
    6.3 本章小结第67-68页
第七章 结论第68-69页
参考文献第69-72页
致谢第72-73页
附录第73页

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