| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 MEMS技术 | 第9-12页 |
| 1.2.1 MEMS技术的基本特点 | 第9-10页 |
| 1.2.2 MEMS技术分类 | 第10-11页 |
| 1.2.3 MEMS技术的发展趋势 | 第11-12页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 MEMS加工基本工艺 | 第13-31页 |
| 2.1 光刻 | 第13-19页 |
| 2.1.1 光刻的基本原理 | 第13页 |
| 2.1.2 光刻工艺 | 第13-19页 |
| 2.2 薄膜技术 | 第19-24页 |
| 2.2.1 真空蒸发镀膜技术 | 第19-20页 |
| 2.2.2 离子镀 | 第20-21页 |
| 2.2.3 磁控溅射镀膜技术 | 第21-24页 |
| 2.3 等离子体刻蚀技术 | 第24-30页 |
| 2.3.1 等离子体刻蚀技术的原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术 | 第26-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 环形波纹状结构的二氧化硅薄膜的制作 | 第31-45页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 环形波纹状结构的二氧化硅薄膜的优势 | 第31-33页 |
| 3.3 光刻掩膜版的设计 | 第33-34页 |
| 3.4 硅片正面加工 | 第34-38页 |
| 3.4.1 光刻加工 | 第34-36页 |
| 3.4.2 ICP刻蚀加工 | 第36-38页 |
| 3.4.3 磁控溅射镀膜 | 第38页 |
| 3.5 硅片背面加工 | 第38-44页 |
| 3.5.1 释放掩蔽层制作 | 第38-40页 |
| 3.5.2 双面曝光制作释放窗口图案 | 第40-41页 |
| 3.5.3 制作Al掩蔽层释放窗口 | 第41-42页 |
| 3.5.4 深硅刻蚀释放薄膜 | 第42-44页 |
| 3.6 磁控溅射制作反射层 | 第44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 环形波纹状结构的二氧化硅薄膜的测试及应用 | 第45-58页 |
| 4.1 F-P光纤干涉传感器 | 第45-47页 |
| 4.1.1 非本征型F-P光纤干涉传感器 | 第45-46页 |
| 4.1.2 本征型F-P光纤干涉传感器(IFPI) | 第46-47页 |
| 4.2 环形波纹状结构的二氧化硅薄膜的声压测试 | 第47-52页 |
| 4.2.1 薄膜探头的声压响应实验 | 第48-50页 |
| 4.2.2 薄膜主谐振频率下的声压响应实验 | 第50-52页 |
| 4.3 基于吸收光谱的光纤气体浓度传感器 | 第52-57页 |
| 4.3.1 光纤气体浓度传感器装置 | 第52-54页 |
| 4.3.2 气体浓度测试 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间的成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |