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三元混晶纤锌矿量子阱中电子带间跃迁及迁移率

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 国内外相关研究进展及存在的问题第11-17页
        1.1.1 GaN和ZnO等异质结构在光电器件中的应用第11-12页
        1.1.2 异质结构中的电子带间跃迁第12-13页
        1.1.3 光学声子第13-15页
        1.1.4 电子迁移率第15-17页
    1.2 本文的主要研究内容第17-19页
第二章 纤锌矿量子阱中的电子和空穴态第19-25页
    2.1 薛定谔方程第19-21页
    2.2 泊松方程及自洽法第21-25页
第三章 三元混晶纤锌矿Mg_xZn_(1-x)O/ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对称量子阱中电子带间跃迁第25-30页
    3.1 理论模型第25页
    3.2 计算结果与讨论第25-28页
        3.2.1 电子及空穴的本征态第25-27页
        3.2.2 电子带间跃迁的三元混晶效应第27页
        3.2.3 电子带间跃迁的尺寸效应第27-28页
    3.3 小结第28-30页
第四章 三元混晶纤锌矿Mg_xZn_(1-x)O/ZnO/Mg_yZn_(1-y)O非对称量子阱中电子带间跃迁第30-36页
    4.1 计算结果与讨论第30-35页
        4.1.1 电子及空穴的本征态第30-32页
        4.1.2 电子带间跃迁的三元混晶效应第32-33页
        4.1.3 电子带间跃迁的尺寸效应第33-35页
    4.2 小结第35-36页
第五章 三元混晶纤锌矿量子阱的光学声子第36-50页
    5.1 理论模型第36-41页
        5.1.1 修正的MREI模型计算AlGaN体光学声子第36-38页
        5.1.2 权重模型计算AlGaN体横光学声子双模性第38-40页
        5.1.3 对称单量子阱的界面和局域光学声子第40-41页
    5.2 计算结果与讨论第41-49页
        5.2.1 AlGaN体光学声子第41-43页
        5.2.2 AlGaN/GaN量子阱的局域和界面光学声子第43-49页
    5.3 小结第49-50页
第六章 三元混晶体横光学声子双模性调制纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中电子迁移率第50-58页
    6.1 理论模型第50-51页
    6.2 计算结果与讨论第51-57页
        6.2.1 二维电子气分布第51-53页
        6.2.2 电子迁移率的三元混晶效应第53-55页
        6.2.3 电子迁移率的温度效应第55页
        6.2.4 电子迁移率的尺寸效应第55-57页
    6.3 小结第57-58页
第七章 全文总结第58-60页
参考文献第60-70页
致谢第70-71页
攻读博士学位期间发表和完成的论文第71页

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