摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 国内外相关研究进展及存在的问题 | 第11-17页 |
1.1.1 GaN和ZnO等异质结构在光电器件中的应用 | 第11-12页 |
1.1.2 异质结构中的电子带间跃迁 | 第12-13页 |
1.1.3 光学声子 | 第13-15页 |
1.1.4 电子迁移率 | 第15-17页 |
1.2 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
第二章 纤锌矿量子阱中的电子和空穴态 | 第19-25页 |
2.1 薛定谔方程 | 第19-21页 |
2.2 泊松方程及自洽法 | 第21-25页 |
第三章 三元混晶纤锌矿Mg_xZn_(1-x)O/ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对称量子阱中电子带间跃迁 | 第25-30页 |
3.1 理论模型 | 第25页 |
3.2 计算结果与讨论 | 第25-28页 |
3.2.1 电子及空穴的本征态 | 第25-27页 |
3.2.2 电子带间跃迁的三元混晶效应 | 第27页 |
3.2.3 电子带间跃迁的尺寸效应 | 第27-28页 |
3.3 小结 | 第28-30页 |
第四章 三元混晶纤锌矿Mg_xZn_(1-x)O/ZnO/Mg_yZn_(1-y)O非对称量子阱中电子带间跃迁 | 第30-36页 |
4.1 计算结果与讨论 | 第30-35页 |
4.1.1 电子及空穴的本征态 | 第30-32页 |
4.1.2 电子带间跃迁的三元混晶效应 | 第32-33页 |
4.1.3 电子带间跃迁的尺寸效应 | 第33-35页 |
4.2 小结 | 第35-36页 |
第五章 三元混晶纤锌矿量子阱的光学声子 | 第36-50页 |
5.1 理论模型 | 第36-41页 |
5.1.1 修正的MREI模型计算AlGaN体光学声子 | 第36-38页 |
5.1.2 权重模型计算AlGaN体横光学声子双模性 | 第38-40页 |
5.1.3 对称单量子阱的界面和局域光学声子 | 第40-41页 |
5.2 计算结果与讨论 | 第41-49页 |
5.2.1 AlGaN体光学声子 | 第41-43页 |
5.2.2 AlGaN/GaN量子阱的局域和界面光学声子 | 第43-49页 |
5.3 小结 | 第49-50页 |
第六章 三元混晶体横光学声子双模性调制纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中电子迁移率 | 第50-58页 |
6.1 理论模型 | 第50-51页 |
6.2 计算结果与讨论 | 第51-57页 |
6.2.1 二维电子气分布 | 第51-53页 |
6.2.2 电子迁移率的三元混晶效应 | 第53-55页 |
6.2.3 电子迁移率的温度效应 | 第55页 |
6.2.4 电子迁移率的尺寸效应 | 第55-57页 |
6.3 小结 | 第57-58页 |
第七章 全文总结 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
攻读博士学位期间发表和完成的论文 | 第71页 |