摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 二氧化锡(SnO_2)材料概述 | 第10-14页 |
1.2.1 SnO_2的基本结构与性质 | 第10-11页 |
1.2.2 二氧化锡的制备方法 | 第11-14页 |
1.3 二氧化锡的基本性质及应用 | 第14-18页 |
1.3.1 二氧化锡光学性能及应用 | 第14-16页 |
1.3.2 二氧化锡电学性能及应用 | 第16页 |
1.3.3 二氧化锡敏感性能及应用 | 第16-17页 |
1.3.4 二氧化锡催化性能及应用 | 第17页 |
1.3.5 二氧化锡纳米材料的研究进展 | 第17-18页 |
1.4 论文的选题意义及主要工作 | 第18-21页 |
1.4.1 论文的选题意义 | 第18页 |
1.4.2 论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
1.4.3 论文内容结构 | 第19-21页 |
第二章 实验方案设计及样品表征 | 第21-29页 |
2.1 实验方案设计 | 第21-26页 |
2.1.1 样品制备方法简介 | 第21页 |
2.1.2 实验方案简介 | 第21-22页 |
2.1.3 实验设备及化学试剂 | 第22-23页 |
2.1.4 实验工艺流程 | 第23-25页 |
2.1.5 实验反应机理简介 | 第25-26页 |
2.2 样品的表征与测试方法 | 第26-28页 |
2.2.1 样品的物相与形貌表征 | 第26-27页 |
2.2.2 样品的发光性能测试 | 第27-28页 |
2.3 本章小结 | 第28-29页 |
第三章 在锡衬底上制备SnO_2纳米晶薄膜及光学性质表征 | 第29-41页 |
3.1 SnO_2纳米晶薄膜的正交实验设计 | 第29-31页 |
3.2 在锡衬底上生长SnO_2纳米晶薄膜产物的物相形貌表征与分析 | 第31-35页 |
3.2.1 产物的XRD分析 | 第31-32页 |
3.2.2 产物的SEM分析 | 第32-34页 |
3.2.3 产物的TEM分析 | 第34-35页 |
3.3 正交实验的结果分析及工艺优化 | 第35-38页 |
3.4 产物的光学性质表征 | 第38页 |
3.5 SnO_2纳米晶薄膜的生长机理讨论 | 第38-39页 |
3.6 本章小结 | 第39-41页 |
第四章 在ITO衬底上制备纳米SnO_2阵列及其光学性质表征 | 第41-71页 |
4.1 纳米SnO_2阵列的正交实验设计 | 第41-43页 |
4.1.1 正交实验表的确定 | 第41-43页 |
4.2 纳米SnO_2阵列的表征与分析 | 第43-47页 |
4.2.1 产物的XRD分析 | 第43-44页 |
4.2.2 产物的SEM分析 | 第44-46页 |
4.2.3 产物的EDS表征 | 第46-47页 |
4.3 正交实验的结果分析及工艺优化 | 第47-51页 |
4.4 产物的光学性质表征 | 第51-53页 |
4.5 实验中不同因素对产物的影响 | 第53-61页 |
4.5.1 反应时间对产物的影响 | 第53-56页 |
4.5.2 反应温度对产物的影响 | 第56-58页 |
4.5.3 锡离子摩尔浓度([Sn~(4+)](mol/L))对产物的影响 | 第58页 |
4.5.4 氢氧根离子与锡离子摩尔浓度比([OH~-]/[Sn~(4+)])对产物的影响 | 第58-61页 |
4.6 SnO_2纳米结构阵列的生长机理讨论 | 第61-64页 |
4.7 Sb掺杂对SnO_2纳米线阵列光学性能的影响 | 第64-69页 |
4.7.1 Sb掺杂SnO_2纳米阵列的制备 | 第64-65页 |
4.7.2 Sb掺杂SnO_2的XRD表征 | 第65-67页 |
4.7.3 Sb掺杂SnO_2的SEM表征 | 第67-68页 |
4.7.4 对光学性质的影响 | 第68-69页 |
4.8 本章小结 | 第69-71页 |
第五章 工作总结与展望 | 第71-73页 |
5.1 论文工作总结 | 第71页 |
5.2 论文工作展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-81页 |
攻读硕士期间取得的学术成果 | 第81-83页 |
致谢 | 第83页 |