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在金属锡和ITO衬底上制备纳米结构的SnO2薄膜、阵列及其光学特性的研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 二氧化锡(SnO_2)材料概述第10-14页
        1.2.1 SnO_2的基本结构与性质第10-11页
        1.2.2 二氧化锡的制备方法第11-14页
    1.3 二氧化锡的基本性质及应用第14-18页
        1.3.1 二氧化锡光学性能及应用第14-16页
        1.3.2 二氧化锡电学性能及应用第16页
        1.3.3 二氧化锡敏感性能及应用第16-17页
        1.3.4 二氧化锡催化性能及应用第17页
        1.3.5 二氧化锡纳米材料的研究进展第17-18页
    1.4 论文的选题意义及主要工作第18-21页
        1.4.1 论文的选题意义第18页
        1.4.2 论文的主要研究内容第18-19页
        1.4.3 论文内容结构第19-21页
第二章 实验方案设计及样品表征第21-29页
    2.1 实验方案设计第21-26页
        2.1.1 样品制备方法简介第21页
        2.1.2 实验方案简介第21-22页
        2.1.3 实验设备及化学试剂第22-23页
        2.1.4 实验工艺流程第23-25页
        2.1.5 实验反应机理简介第25-26页
    2.2 样品的表征与测试方法第26-28页
        2.2.1 样品的物相与形貌表征第26-27页
        2.2.2 样品的发光性能测试第27-28页
    2.3 本章小结第28-29页
第三章 在锡衬底上制备SnO_2纳米晶薄膜及光学性质表征第29-41页
    3.1 SnO_2纳米晶薄膜的正交实验设计第29-31页
    3.2 在锡衬底上生长SnO_2纳米晶薄膜产物的物相形貌表征与分析第31-35页
        3.2.1 产物的XRD分析第31-32页
        3.2.2 产物的SEM分析第32-34页
        3.2.3 产物的TEM分析第34-35页
    3.3 正交实验的结果分析及工艺优化第35-38页
    3.4 产物的光学性质表征第38页
    3.5 SnO_2纳米晶薄膜的生长机理讨论第38-39页
    3.6 本章小结第39-41页
第四章 在ITO衬底上制备纳米SnO_2阵列及其光学性质表征第41-71页
    4.1 纳米SnO_2阵列的正交实验设计第41-43页
        4.1.1 正交实验表的确定第41-43页
    4.2 纳米SnO_2阵列的表征与分析第43-47页
        4.2.1 产物的XRD分析第43-44页
        4.2.2 产物的SEM分析第44-46页
        4.2.3 产物的EDS表征第46-47页
    4.3 正交实验的结果分析及工艺优化第47-51页
    4.4 产物的光学性质表征第51-53页
    4.5 实验中不同因素对产物的影响第53-61页
        4.5.1 反应时间对产物的影响第53-56页
        4.5.2 反应温度对产物的影响第56-58页
        4.5.3 锡离子摩尔浓度([Sn~(4+)](mol/L))对产物的影响第58页
        4.5.4 氢氧根离子与锡离子摩尔浓度比([OH~-]/[Sn~(4+)])对产物的影响第58-61页
    4.6 SnO_2纳米结构阵列的生长机理讨论第61-64页
    4.7 Sb掺杂对SnO_2纳米线阵列光学性能的影响第64-69页
        4.7.1 Sb掺杂SnO_2纳米阵列的制备第64-65页
        4.7.2 Sb掺杂SnO_2的XRD表征第65-67页
        4.7.3 Sb掺杂SnO_2的SEM表征第67-68页
        4.7.4 对光学性质的影响第68-69页
    4.8 本章小结第69-71页
第五章 工作总结与展望第71-73页
    5.1 论文工作总结第71页
    5.2 论文工作展望第71-73页
参考文献第73-81页
攻读硕士期间取得的学术成果第81-83页
致谢第83页

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