| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-23页 |
| 1.1 碳化硅材料特性 | 第19-20页 |
| 1.2 碳化硅IGBT的应用及研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 SiC TIGBT的工作原理及仿真参数 | 第23-43页 |
| 2.1 SiC TIGBT的结构和工作原理 | 第23-31页 |
| 2.1.1 SiC TIGBT的结构 | 第23-27页 |
| 2.1.2 SiC TIGBT的工作原理 | 第27-30页 |
| 2.1.3 TIGBT器件等效电路 | 第30-31页 |
| 2.2 4H-SiC TIGBT关键电学参数 | 第31-35页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第31-32页 |
| 2.2.2 饱和导通压降 | 第32-34页 |
| 2.2.3 关断损耗 | 第34-35页 |
| 2.3 4H-SiC TIGBT器件仿真的模型参数 | 第35-40页 |
| 2.3.1 本征载流子和能带模型 | 第35-36页 |
| 2.3.2 迁移率模型 | 第36-38页 |
| 2.3.3 杂质不完全离化模型 | 第38-39页 |
| 2.3.4 载流子复合-产生模型 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-43页 |
| 第三章 4H-SiC TIGBT特性的模拟研究 | 第43-59页 |
| 3.1 4H-SiC TIGBT器件结构和参数 | 第43-44页 |
| 3.2 4H-SiC TIGBT的基本特性的模拟仿真 | 第44-45页 |
| 3.2.1 4H-SiC TIGBT的转移特性 | 第44页 |
| 3.2.2 4H-SiC TIGBT的输出特性曲线 | 第44-45页 |
| 3.3 4H-SiC TIGBT的开关特性模拟和功耗研究 | 第45-47页 |
| 3.4 4H-SiC TIGBT结构参数对载流子分布的影响 | 第47-58页 |
| 3.4.1 不同发射极宽度的研究 | 第48-50页 |
| 3.4.2 不同沟槽深度的研究 | 第50-53页 |
| 3.4.3 发射极宽度与沟槽深度同时变化的研究 | 第53-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 4H-SiC TPIGBT的模拟研究 | 第59-67页 |
| 4.1 4H-SiC TPIGBT的基本结构 | 第59-61页 |
| 4.2 4H-SiC IGBT三种结构的特性比较 | 第61-65页 |
| 4.2.1 转移特性 | 第61-62页 |
| 4.2.2 漂移区中电子浓度对正向导通压降和关断损耗的影响 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
