首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按工艺分论文

Al/CuPc/Cu肖特基二极管气敏特性分析

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第1章 绪论第10-17页
   ·课题的研究意义及背景第10页
   ·有机半导体材料第10-11页
   ·MPc 材料敏感特性概述第11-13页
   ·酞菁薄膜传感器的研究成果第13-15页
   ·肖特基二极管传感器第15页
   ·本文主要研究内容第15-17页
第2章 金属与半导体接触及酞菁气敏机理第17-24页
   ·金属与半导体接触第17-21页
     ·肖特基接触第17-19页
     ·欧姆接触第19-20页
     ·中性接触第20-21页
   ·气敏特性机理及影响因素第21-23页
     ·酞菁气敏机理探讨第21-22页
     ·酞菁配合物气敏特性的影响因素第22-23页
   ·本章小结第23-24页
第3章 肖特基气敏二极管的制备第24-31页
   ·器件制备工艺第24-26页
     ·真空镀膜第24-25页
     ·磁控溅射镀膜第25-26页
   ·基片的清洗第26-27页
   ·器件的制备过程第27-30页
     ·电极的制备第28-29页
     ·有机层的制备第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第4章 有机肖特基二极管气敏特性的测试与分析第31-41页
   ·敏感特性测量系统第31-32页
     ·测量系统第31页
     ·实验方法第31-32页
   ·实验测试结果第32-36页
     ·空气中器件的测试结果第32-33页
     ·N02 气体中器件的测试结果第33-35页
     ·器件的恢复第35-36页
   ·CuPc 薄膜传感器的气敏机理分析第36-39页
     ·基本原理分析第36-37页
     ·器件气敏特性能带变化分析第37-39页
   ·本章小结第39-41页
结论第41-42页
参考文献第42-46页
攻读学位期间发表的学术论文第46-47页
致谢第47页

论文共47页,点击 下载论文
上一篇:基于VDMOS结构参数的TCAD模拟研究
下一篇:可配置的IIC协议控制器IP核的设计