| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·第三代半导体材料简介 | 第10-17页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体 | 第10-13页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物 | 第13-17页 |
| ·GaN和ZnO材料在器件中的应用 | 第17-18页 |
| ·GaN基异质结在发光关器件中的应用 | 第17-18页 |
| ·ZnO材料在发光器件中的应用 | 第18页 |
| ·pn结原理及ZnO纳米棒/p-GaN异质结LED的研究进展 | 第18-20页 |
| ·本论文主要工作 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 样品制备原理及表征方法 | 第26-38页 |
| ·材料制备 | 第26-30页 |
| ·MOCVD生长Ga N的生长方法及原理 | 第26-29页 |
| ·GaN的p型掺杂 | 第29-30页 |
| ·ZnO纳米棒的制备及原理 | 第30页 |
| ·表征方法 | 第30-36页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第31页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FESEM） | 第33页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第33-34页 |
| ·电流-电压特性曲线（I-V） | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章衬底不同处理方法对ZnO纳米棒结构及性能的影响 | 第38-50页 |
| ·GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的调制 | 第38-43页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·结构及晶体质量表征 | 第39-40页 |
| ·形貌表征 | 第40-42页 |
| ·光学性能分析 | 第42-43页 |
| ·GaN衬底不同清洗方法对ZnO纳米棒的影响 | 第43-46页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验 | 第43-44页 |
| ·GaN衬底不同清洗方法对ZnO纳米棒形貌及光学性质的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 ZnO纳米棒的Ag掺杂对Zn O纳米棒/p-GaN结构和性能的影响 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-58页 |
| ·Ag掺杂浓度对Zn O纳米棒/p-GaN结构和性能的影响 | 第52-56页 |
| ·ZnO生长时间对ZnO纳米棒/p-GaN结构和性能的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67页 |
