阳极氧化法制备4H-SiC纳米阵列与结构调控及其光电特性
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·纳米材料的物理特性 | 第10-11页 |
| ·量子尺寸效应 | 第10页 |
| ·表面效应 | 第10-11页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第11页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第11页 |
| ·SiC 低维纳米材料概述 | 第11-27页 |
| ·SiC的基本特性 | 第11-13页 |
| ·SiC低维纳米材料的研究概况 | 第13-17页 |
| ·SiC纳米带 | 第13-14页 |
| ·SiC纳米棒 | 第14-15页 |
| ·SiC纳米线 | 第15页 |
| ·SiC纳米针 | 第15-16页 |
| ·SiC纳米管 | 第16-17页 |
| ·SiC低维纳米材料的制备方法 | 第17-20页 |
| ·模板法 | 第17页 |
| ·静电纺丝法 | 第17-18页 |
| ·激光烧灼法 | 第18页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| ·阳极蚀刻法 | 第19-20页 |
| ·SiC低维纳米材料的应用 | 第20-24页 |
| ·SiC低维纳米材料在高强度材料中的应用 | 第20页 |
| ·SiC低维纳米材料在电子器件中的应 | 第20页 |
| ·SiC低维纳米材料在场发射阴极中的应用 | 第20-23页 |
| ·SiC纳米线在光电催化剂方面的应用 | 第23-24页 |
| ·SiC纳米阵列的研究进展 | 第24-27页 |
| ·选题背景及意义 | 第27-30页 |
| ·选题背景 | 第27-28页 |
| ·选题意义 | 第28-30页 |
| 第二章 课题内容及实验方案 | 第30-36页 |
| ·课题研究内容 | 第30-31页 |
| ·阳极氧化溶液配比对SiC纳米阵列结构生长的影响 | 第30页 |
| ·电源电压对SiC纳米阵列结构生长的影响 | 第30页 |
| ·阳极氧化时间对SiC纳米阵列结构生长的影响 | 第30-31页 |
| ·SiC纳米阵列场发射特性研究 | 第31页 |
| ·SiC纳米阵列光电催化特性研究 | 第31页 |
| ·实验方案 | 第31-32页 |
| ·SiC纳米阵列的阳极氧化制备 | 第31-32页 |
| ·场发射阴极材料的制备 | 第32页 |
| ·光电催化电极的制备 | 第32页 |
| ·实验原料、表征方法和测试设备 | 第32-36页 |
| ·实验原料 | 第32-33页 |
| ·材料结构表征与分析 | 第33-34页 |
| ·实验设备与测试系统 | 第34-36页 |
| ·场发射特性检测与分析 | 第34-35页 |
| ·光电催化性能检测与分析 | 第35-36页 |
| 第三章 SiC纳米阵列的制备及其结构调控 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验方法 | 第37页 |
| ·实验结果和讨论 | 第37-46页 |
| ·阳极氧化溶液配比对SiC纳米阵列结构生长的影响 | 第37-40页 |
| ·阳极氧化电压对SiC纳米阵列结构生长的影响 | 第40-41页 |
| ·阳极氧化时间对SiC纳米阵列的影响 | 第41-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 SiC纳米阵列的场发射性能的研究 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验方案 | 第49页 |
| ·实验结果和讨论 | 第49-51页 |
| ·Si C纳米阵列的场发射性能 | 第51-58页 |
| ·SiC纳米线阵列的场发射性能 | 第51-57页 |
| ·Si C纳米阵列室温场发射性能 | 第51-55页 |
| ·不同阴阳极间距离Si C纳米线阵列的场发射性能 | 第55-56页 |
| ·Si C纳米阵列的高温场发射性能 | 第56-57页 |
| ·SiC纳米带阵列的场发射性能 | 第57-58页 |
| ·SiC纳米带阵列的常温场发射性能 | 第57页 |
| ·SiC纳米带阵列的高温场发射性能 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第五章 SiC纳米阵列的光电催化性能 | 第60-66页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·实验方案 | 第61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第78页 |
