| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·太阳能电池简介 | 第11-17页 |
| ·太阳能 | 第11页 |
| ·太阳辐射光谱 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第12-16页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第16-17页 |
| ·TiO_2的制备方法 | 第17-20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| ·水热合成法 | 第18页 |
| ·阳极氧化法 | 第18-19页 |
| ·物理气相沉积法 | 第19页 |
| ·其他制备方法 | 第19页 |
| ·TiO_2纳米棒的制备方法 | 第19-20页 |
| ·TiO_2薄膜的改性 | 第20-24页 |
| ·表面贵金属沉积 | 第20-21页 |
| ·非金属离子掺杂 | 第21-22页 |
| ·半导体光敏化 | 第22页 |
| ·半导体复合 | 第22-24页 |
| ·CdSe研究进展 | 第24-26页 |
| ·CdSe的制备 | 第24-26页 |
| ·电化学沉积制备CdSe存在的问题 | 第26页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第26-29页 |
| 第二章 TiO_2纳米阵列的制备及形成机理 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验部分 | 第29-31页 |
| ·实验原料及设备 | 第29-30页 |
| ·TiO_2纳米棒阵列薄膜的制备 | 第30-31页 |
| ·测试与分析 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·前驱液浓度对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·HCl含量对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第33-34页 |
| ·反应时间对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·反应温度对TiO_2纳米棒阵列形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·XRD分析 | 第36-37页 |
| ·UV-Vis分析 | 第37-38页 |
| ·TiO_2纳米棒的形成机理 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 退火温度对CdSe纳米薄膜的形成及光电性能影响 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验部分 | 第41-43页 |
| ·实验原料及设备 | 第41-42页 |
| ·CdSe纳米薄膜样品的制备 | 第42-43页 |
| ·测试与分析 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-49页 |
| ·SEM分析 | 第43-44页 |
| ·AFM分析 | 第44-45页 |
| ·XRD分析 | 第45-46页 |
| ·XPS分析 | 第46-48页 |
| ·UV-Vis分析 | 第48页 |
| ·光电流分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 CdSe/TiO_2异质结薄膜的制备及其光电性能的研究 | 第51-85页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验部分 | 第51-53页 |
| ·实验原料及设备 | 第51-52页 |
| ·CdSe/TiO_2异质结纳米薄膜的制备 | 第52-53页 |
| ·测试与分析 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-84页 |
| ·循环伏安法制备CdSe/TiO_2异质结薄膜 | 第53-55页 |
| ·SeO_2添加量对CdSe/TiO_2异质结薄膜形貌及光电性能的影响 | 第55-61页 |
| ·沉积时间对CdSe/TiO_2异质结薄膜形貌及光电性能的影响 | 第61-66页 |
| ·电沉积制备CdSe/TiO_2异质结薄膜最佳方案 | 第66-68页 |
| ·退火温度对CdSe/TiO_2薄膜形貌及光电性能的影响 | 第68-79页 |
| ·退火时间对CdSe/TiO_2薄膜形貌及光电性能的影响 | 第79-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 结论与展望 | 第85-87页 |
| ·结论 | 第85-86页 |
| ·展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第99页 |
