| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 1 引言 | 第11-31页 |
| ·红外辐射及其应用 | 第11-12页 |
| ·红外探测器及发展趋势 | 第12-15页 |
| ·短波红外 InGaAs 探测器 | 第15-17页 |
| ·可见拓展近红外 InGaAs 探测器 | 第17-29页 |
| ·可见拓展近红外 InGaAs 探测器的意义 | 第17-19页 |
| ·可见拓展 InGaAs 探测器的研究现状 | 第19-27页 |
| ·可见拓展 InGaAs 探测器的发展趋势 | 第27-29页 |
| ·近红外 InGaAs 探测器可见拓展的难点 | 第29页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第29-31页 |
| 2 衬底减薄工艺研究 | 第31-59页 |
| ·衬底减薄的方法及原理 | 第31-34页 |
| ·InP 衬底的机械抛光表征 | 第34-35页 |
| ·InP/InGaAs 选择性湿法腐蚀研究 | 第35-41页 |
| ·InP 衬底的湿法腐蚀 | 第35-41页 |
| ·InGaAs 阻挡层的湿法腐蚀 | 第41页 |
| ·衬底减薄在探测器中的应用 | 第41-57页 |
| ·InAlAs 缓冲层的器件 | 第45-50页 |
| ·InP 缓冲层的器件 | 第50-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 3 InGaAs 探测器衬底减薄后的表面处理 | 第59-70页 |
| ·表面处理方法 | 第59-61页 |
| ·InGaAs 探测器衬底减薄后单层增透膜研究 | 第61-67页 |
| ·增透膜的生长及表面状态 | 第61-64页 |
| ·光谱特性 | 第64-66页 |
| ·增透膜对器件暗电流的影响 | 第66-67页 |
| ·多层增透膜的设计与生长 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 4 InGaAs 探测器量子效率模拟 | 第70-89页 |
| ·量子效率模拟的方法 | 第70-78页 |
| ·计算模型 | 第71-74页 |
| ·材料参数 | 第74-78页 |
| ·InGaAs 探测器吸收层厚度对量子效率的影响 | 第78-83页 |
| ·可见拓展的 InGaAs 探测器量子效率与材料参数的关系 | 第83-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 5 可见拓展的 InGaAs 焦平面探测器 | 第89-100页 |
| ·平面型 512×128 元 InGaAs 焦平面探测器 | 第89-96页 |
| ·光敏芯片制备 | 第89-90页 |
| ·焦平面特性分析 | 第90-96页 |
| ·大面阵探测器的衬底减薄 | 第96-97页 |
| ·可见拓展的 InGaAs 焦平面探测器 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 6 全文总结和展望 | 第100-103页 |
| ·全文总结 | 第100-102页 |
| ·展望 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第113页 |