| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| 第二章 文献综述 | 第17-43页 |
| ·非晶氧化物半导体 | 第17-28页 |
| ·发展历史 | 第17-19页 |
| ·高迁移率AOSs的材料设计 | 第19-22页 |
| ·非晶IGZO半导体 | 第22-28页 |
| ·薄膜晶体管 | 第28-41页 |
| ·发展历史 | 第28-29页 |
| ·薄膜晶体管结构及原理 | 第29-31页 |
| ·TFT性能表征 | 第31-34页 |
| ·氧化物TFT与非晶硅TFT的特性比较 | 第34-36页 |
| ·氧化物TFT的稳定性 | 第36-41页 |
| ·本课题的立体依据及研究思路 | 第41-43页 |
| 第三章 实验方法与表征手段 | 第43-55页 |
| ·磁控溅射方法 | 第43-47页 |
| ·溅射原理 | 第43-46页 |
| ·磁控溅射设备简介 | 第46-47页 |
| ·脉冲激光沉积方法 | 第47-51页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第47-49页 |
| ·PLD实验设备简介 | 第49-51页 |
| ·实验过程 | 第51-53页 |
| ·表征方法 | 第53-55页 |
| 第四章 ZnO薄膜晶体管的若干研究 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·ZnO薄膜晶体管的制备 | 第55-56页 |
| ·不同源漏电极对ZnO TFTs性能的影响 | 第56-58页 |
| ·退火对ZnO TFTs性能的影响 | 第58-63页 |
| ·栅压对ZnO薄膜光电流衰退特性的影响 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 非晶InGaZnO薄膜晶体管的稳定性研究 | 第69-83页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·α-IGZO薄膜的沉积及TFT器件的制备 | 第69-71页 |
| ·α-IGZO薄膜的性能表征 | 第71-75页 |
| ·α-IGZO薄膜的成分、结构与形貌 | 第71-73页 |
| ·α-IGZO薄膜的电学性能与光学性能 | 第73-75页 |
| ·α-IGZO TFTs的性能表征 | 第75-77页 |
| ·α-IGZO TFTs的稳定性 | 第77-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| 第六章 非晶InAlZnO薄膜晶体管的稳定性研究 | 第83-103页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·α-IAZO薄膜的性能表征 | 第83-90页 |
| ·α-IAZO TFTs的制备及其性能 | 第90-102页 |
| ·α-IAZO TFTs的制备 | 第90-91页 |
| ·α-IAZO TFTs的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第91页 |
| ·α-LAZO TFTs的退火稳定性 | 第91-94页 |
| ·α-IAZO TFTs与α-IGZO TFTs稳定性的比较 | 第94-96页 |
| ·α-IAZO TFTs的环境稳定性 | 第96-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第七章 结论 | 第103-107页 |
| ·全文总结 | 第103-105页 |
| ·论文创新点 | 第105页 |
| ·展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 个人简历 | 第121-123页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第123-124页 |