| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·计算机的“进化” | 第12-14页 |
| ·硅基光互连 | 第14-16页 |
| ·本论文的结构 | 第16-20页 |
| 第二章 文献综述 | 第20-50页 |
| ·硅的局限性 | 第20-21页 |
| ·硅基光源研究进展 | 第21-38页 |
| ·直接基于硅材料发光的研究进展 | 第21-24页 |
| ·硅基杂化激光器件的研究进展 | 第24-25页 |
| ·硅上外廷锗发光器件的研究进展 | 第25-26页 |
| ·硅纳米晶发光的研究进展 | 第26-32页 |
| ·薄膜掺杂稀土发光的研究进展 | 第32-35页 |
| ·薄膜本体发光的研究进展 | 第35-38页 |
| ·氮化硅薄膜基质的发光 | 第38-43页 |
| ·氮化硅薄膜的光致发光研究 | 第38-39页 |
| ·氮化硅基电致发光器件研究进展 | 第39-41页 |
| ·提高氮化硅基器件电致发光效率的几种途径 | 第41-43页 |
| ·局域表面等离子体增强发光的研究 | 第43-49页 |
| ·局域表面等离子体 | 第43-46页 |
| ·局域表面等离子体的应用 | 第46-48页 |
| ·局域表面等离子体增强发光的研究 | 第48-49页 |
| ·氮化硅薄膜基电致发光器件存在的问题总结 | 第49-50页 |
| 第三章 样品制备与表征 | 第50-56页 |
| ·材料制备设备 | 第50-52页 |
| ·等离子体化学气相沉积设备 | 第50-51页 |
| ·电子束蒸发 | 第51页 |
| ·直流磁控溅射 | 第51-52页 |
| ·热处理设备 | 第52页 |
| ·材料表征方法 | 第52-56页 |
| ·椭偏光谱 | 第52-53页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第53页 |
| ·原子力显微镜 | 第53页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第53-54页 |
| ·光致发光及电致发光谱 | 第54页 |
| ·电流-电压特性 | 第54-56页 |
| 第四章 氮化硅基器件电致发光机制的探讨 | 第56-68页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 局域表面等离子体与氮化硅基质中激子耦合增强光致发光 | 第68-80页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·实验过程 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-77页 |
| ·LSPs与激子的耦合(A组样品) | 第69-74页 |
| ·LSPs与激子耦合增强光致发光(B组样品) | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 第六章 局域表面等离子体增强氮化硅基器件电致发光的研究 | 第80-108页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·实验过程 | 第81-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-106页 |
| ·Ag_on结构器件电致发光性能(A组样品) | 第82-91页 |
| ·Ag_under结构器件电致发光性能(B组样品) | 第91-97页 |
| ·氮化硅薄膜基器件电致发光效率衰减的原因探讨 | 第97-101页 |
| ·Ag_on结构和Ag_under结构器件的电致发光性能对比 | 第101-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第七章 氮化硅基器件电致发光波长的调制 | 第108-118页 |
| ·引言 | 第108页 |
| ·实验 | 第108页 |
| ·结果与讨论 | 第108-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第八章 结论与展望 | 第118-122页 |
| ·本文的主要结论 | 第118-119页 |
| ·本文的创新点 | 第119-120页 |
| ·研究展望 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-148页 |
| 致谢 | 第148-150页 |
| 个人简历 | 第150-152页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第152-154页 |
