一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第1章 绪论	第8-12页
·引言	第8-9页
·研究的背景及意义	第9-10页
·当前研究情况	第10页
·本论文的主要工作	第10-12页
第2章 带隙基准电压源电路理论基础	第12-28页
·与温度无关的基准	第12-16页
·负温度系数电压的产生	第13-15页
·正温度系数电压的产生	第15-16页
·传统带隙基准电压源结构	第16-23页
·基于双极型工艺的带隙基准电压源	第16-19页
·基于 CMOS工艺的带隙基准电压源	第19-23页
·影响电路性能的主要误差因素	第23-28页
·元器件的对称与匹配	第23-24页
·MOS管阈值电压偏差的影响	第24-26页
·MOS管的几何尺寸不完全匹配影响	第26页
·MOS管的沟道长度调制效应影响	第26-28页
第3章 高精度带隙基准电压源的设计原理	第28-42页
·电流源的设计	第28-32页
·运算放大器的设计	第32-38页
·PTAT电流产生模块	第38-39页
·启动电路	第39-42页
第4章 整体电路设计及仿真	第42-51页
·仿真工具简介	第42-43页
·本文带隙基准电压源整体设计	第43-44页
·电路相关技术指标的模拟仿真	第44-48页
·温度特性模拟	第44-45页
·电源电压稳定性	第45-46页
·电源电压抑制比(PSRR)	第46-47页
·静态电流	第47-48页
·与一种基准电路的比较	第48-51页
第5章 结论与展望	第51-52页
致谢	第52-53页
参考文献	第53-56页
攻读硕士学位期间发表的论文	第56页