| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·论文背景及意义 | 第8页 |
| ·半导体存储器及其发展概况 | 第8-10页 |
| ·静态随机存取存储器（SRAM）研究现状及发展方向 | 第10-14页 |
| ·静态随机存取存储器（SRAM）的发展历史及趋势 | 第11页 |
| ·国内外概况及相关研究 | 第11-13页 |
| ·论文主要工作与结构 | 第13-14页 |
| 第二章 静态随机存取存储器结构与工作原理 | 第14-29页 |
| ·存储器的总体结构 | 第14-16页 |
| ·SRAM 存储单元结构 | 第16-20页 |
| ·标准CMOS 6T 存储单元 | 第16-18页 |
| ·电阻负载的4T2R 存储单元 | 第18-19页 |
| ·DICE 存储单元 | 第19-20页 |
| ·SRAM 存储器结构 | 第20-26页 |
| ·异步SRAM | 第20-21页 |
| ·同步SRAM | 第21页 |
| ·单端口SRAM | 第21-22页 |
| ·双端口SRAM | 第22-24页 |
| ·先入先出（FIFO）SRAM | 第24-26页 |
| ·SRAM 存储器工作原理 | 第26-29页 |
| ·SRAM 的写过程 | 第26-27页 |
| ·SRAM 的读过程 | 第27-29页 |
| 第三章 静态随机存取存储器关键模块结构研究与电路设计 | 第29-44页 |
| ·SRAM 存储阵列的设计 | 第30-36页 |
| ·SRAM 基本存储单元设计 | 第30-33页 |
| ·存储阵列分块设计 | 第33-36页 |
| ·分级地址译码器设计 | 第36-39页 |
| ·灵敏放大器设计 | 第39-40页 |
| ·预充电电路设计 | 第40-44页 |
| ·预充电电路结构设计及原理 | 第40-41页 |
| ·位线复位预充电电路设计 | 第41-44页 |
| 第四章 静态随机存取存储器项目设计与仿真验证技术 | 第44-64页 |
| ·SRAM 全定制设计 | 第44-48页 |
| ·SRAM 仿真验证技术 | 第48-64页 |
| ·模拟仿真方法及仿真实例 | 第48-57页 |
| ·基于逻辑等效模型的快速功能仿真验证 | 第57-60页 |
| ·IP 行为级仿真 | 第60-62页 |
| ·版图后仿真 | 第62-64页 |
| 第五章 静态随机存取存储器提高性能与可靠性设计的物理实现 | 第64-80页 |
| ·电源网络的设计与实现 | 第64-71页 |
| ·单电源电压结构 | 第64-65页 |
| ·多电源结构及电平转换 | 第65-70页 |
| ·不同电源域间的物理版图设计 | 第70-71页 |
| ·ESD 保护电路 | 第71-74页 |
| ·静态随机存取存储器（SRAM）抗辐照物理实现方法 | 第74-80页 |
| ·先进工艺SOI SRAM | 第75-76页 |
| ·HBD 抗辐照版图加固方法 | 第76-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第85-86页 |
