光激发提高ZnO传感器气敏性能的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-27页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·半导体气敏机理与光激发原理 | 第10-16页 |
| ·气敏机理 | 第10-13页 |
| ·光激发原理 | 第13-16页 |
| ·光激发提高气敏元件灵敏度的研究现状 | 第16-18页 |
| ·光激发提高气敏元件灵敏度的机理研究 | 第16页 |
| ·气敏材料体系 | 第16-17页 |
| ·气敏元件的主要类型 | 第17页 |
| ·检测的主要气体 | 第17-18页 |
| ·研究难点 | 第18页 |
| ·提高光激发条件下气敏元件性能的途径 | 第18-26页 |
| ·控制材料的微细结构 | 第19-20页 |
| ·半导体的改性 | 第20-23页 |
| ·复合半导体 | 第23-25页 |
| ·改进气敏材料的制备方法 | 第25-26页 |
| ·本课题研究的目的和内容 | 第26-27页 |
| 2 纳米ZNO 在光激发条件下的气敏性能 | 第27-38页 |
| ·前言 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第28-30页 |
| ·实验材料 | 第28页 |
| ·气敏元件的制备过程 | 第28-29页 |
| ·气敏元件的测试 | 第29-30页 |
| ·实验结果与分析 | 第30-36页 |
| ·光激发对气敏性能的影响 | 第30-32页 |
| ·不同工作温度下光激发对气敏性能的影响 | 第32-35页 |
| ·光强度对气敏性能的影响 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 3 掺杂ZNO 在光激发条件下的气敏性能 | 第38-62页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-59页 |
| ·ZnO-Sb_2O_3 体系 | 第38-46页 |
| ·ZnO-TiO_2 体系 | 第46-55页 |
| ·ZnO-WO_3 体系的气敏性能 | 第55-59页 |
| ·三种掺杂剂的比较 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 4 全文总结 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文 | 第72页 |
