| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 MgO的性质及用途 | 第9-12页 |
| 1．1 MgO材料的性质 | 第9页 |
| 1．2 MgO薄膜的用途 | 第9-12页 |
| 2 MgO薄膜的制备方法及其表征手段 | 第12-24页 |
| 2．1 脉冲激光沉积(PLD)法 | 第12-16页 |
| 2．1．1 PLD物理原理及特点 | 第12-15页 |
| 2．1．2 PLD法制备 MgO薄膜的研究现状 | 第15-16页 |
| 2．2 MgO薄膜的其它制备方法简介 | 第16-19页 |
| 2．2．1 电子束蒸发(Electron-beam evaporation) | 第16页 |
| 2．2．2 磁控溅射(Magnetron sputtering) | 第16-17页 |
| 2．2．3 分子束外延(MBE) | 第17页 |
| 2．2．4 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第17-18页 |
| 2．2．5 溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第18-19页 |
| 2．3 MgO薄膜制备方法小结 | 第19页 |
| 2．4 MgO薄膜的表征手段 | 第19-24页 |
| 2．4．I X射线衍射(XRD) | 第20-22页 |
| 2．4．2 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第22-23页 |
| 2．4．3 扫描电子显微术(SEM)与原子力显微术(AFM) | 第23-24页 |
| 3 PLD法制备 MgO薄膜及其表征 | 第24-38页 |
| 3．1 实验设备及实验步骤 | 第24-26页 |
| 3．2 生长在si(111)衬底上的MgO薄膜特性 | 第26-28页 |
| 3．2．1 实验过程 | 第26-27页 |
| 3．2．2 结果与分析 | 第27-28页 |
| 3．3 直接生长在 Si(100)衬底上的MgO薄膜的性质 | 第28-35页 |
| 3．3．1 实验过程 | 第28-30页 |
| 3．3．2 结果与分析 | 第30-35页 |
| 3．4 缓冲层对 MgO薄膜质量的影响 | 第35-38页 |
| 3．4．1 在 MgO/ Si(100)体系上生长 MgO薄膜 | 第35页 |
| 3．4．2 结果与分析 | 第35-38页 |
| 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第44页 |
