大功率微弧氧化电源
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| ·微弧氧化技术 | 第6-9页 |
| ·微弧氧化技术的发展状况 | 第6-7页 |
| ·微弧氧化技术机理 | 第7-9页 |
| ·课题背景 | 第9-13页 |
| ·脉冲电源的发展状况 | 第9页 |
| ·选题的意义 | 第9-13页 |
| 第二章 微弧氧化电源主电路的设计 | 第13-41页 |
| ·脉冲电源原理介绍 | 第13-16页 |
| ·脉冲电源原理 | 第13-14页 |
| ·微弧氧化电源原理 | 第14-16页 |
| ·直流高压电源 | 第16-29页 |
| ·产生高压电的方法 | 第16-18页 |
| ·直流高压的产生方法 | 第16页 |
| ·脉冲高压电源 | 第16-18页 |
| ·变压器的选择 | 第18-20页 |
| ·变压器原理 | 第18-19页 |
| ·变压器的分类 | 第19页 |
| ·三相变压器的联接 | 第19页 |
| ·三相变压器选用 | 第19-20页 |
| ·硅整流电路的选择 | 第20-26页 |
| ·、可控硅元件基本特性 | 第20-21页 |
| ·可控整流电路 | 第21-25页 |
| ·三相全桥全控整流电路元器件的选择 | 第25-26页 |
| ·三相可控硅整流控制电路 | 第26-28页 |
| ·微弧氧化电源中的直流高压电路 | 第28-29页 |
| ·主电路拓扑的选择 | 第29-37页 |
| ·直流斩波电路 | 第30-32页 |
| ·桥式斩波电路 | 第32-35页 |
| ·半桥逆变电路 | 第32-33页 |
| ·全桥逆变电路 | 第33-35页 |
| ·其它斩波电路 | 第35-37页 |
| ·推挽逆变电路 | 第35页 |
| ·不对称半桥逆变电路 | 第35-36页 |
| ·不对称全桥逆变电路 | 第36-37页 |
| ·电源主电路及负载波形 | 第37-40页 |
| ·电源主电路 | 第37-38页 |
| ·主电路工作分析 | 第38-39页 |
| ·IGBT模块的选择及其串并联使用 | 第39-40页 |
| ·IGBT的串联使用 | 第39页 |
| ·IGBT模块介绍 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 微弧氧化电源控制电路的设计 | 第41-58页 |
| ·微机控制电路 | 第41-48页 |
| ·控制芯片 | 第41-44页 |
| ·中央处理器(CPU)和存贮器 | 第41-42页 |
| ·中断 | 第42页 |
| ·片内外设 | 第42-43页 |
| ·I/O端口 | 第43-44页 |
| ·电路的软件实现 | 第44-48页 |
| ·主程序模块 | 第44-47页 |
| ·微机通讯模块 | 第47-48页 |
| ·故障处理模块 | 第48页 |
| ·IGBT驱动电路 | 第48-57页 |
| ·IGBT的擎住效应与安全工作区 | 第48-50页 |
| ·擎住效应 | 第48-49页 |
| ·安全工作区 | 第49-50页 |
| ·IGBT驱动电路的要求 | 第50-51页 |
| ·一种新型IGBT驱动电路 | 第51-57页 |
| ·概述 | 第51-53页 |
| ·2ED300C17-S的应用 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 微弧氧化电源保护电路的设计 | 第58-70页 |
| ·IGBT的保护 | 第58-65页 |
| ·概述 | 第58-59页 |
| ·IGBT栅极的保护 | 第59-60页 |
| ·集电极与发射极间的过压保护 | 第60-64页 |
| ·集电极电流过流保护 | 第64-65页 |
| ·实验装置中的一些保护电路 | 第65-69页 |
| ·开关保护 | 第65-66页 |
| ·散热措施 | 第66-67页 |
| ·过温保护 | 第67页 |
| ·过湿保护 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 实验模型及实验波形 | 第70-74页 |
| ·试验装置 | 第70页 |
| ·实验数据 | 第70-71页 |
| ·实验波形 | 第71-74页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
