单晶硅片的超精密加工技术研究
| 第一章 绪论 | 第1-22页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·硅材料的基本性质和主要用途 | 第10-14页 |
| ·硅材料的基本性质 | 第10-12页 |
| ·硅材料的主要用途 | 第12-14页 |
| ·硅片精密加工发展现状及展望 | 第14-20页 |
| ·超精密加工技术的发展现状及展望 | 第14-18页 |
| ·硅片直径及IC集成规模的发展趋势 | 第18-20页 |
| ·本课题的提出 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 集成电路硅衬底的制备工艺分析 | 第22-32页 |
| ·IC的制造工艺过程 | 第22-24页 |
| ·IC制造对硅抛光片加工的要求 | 第24-26页 |
| ·硅抛光片的基本几何参数 | 第24-25页 |
| ·IC制造对硅抛光片的要求 | 第25-26页 |
| ·硅片的制备工艺分析 | 第26-31页 |
| ·硅片加工工艺过程 | 第26-27页 |
| ·硅片加工工艺过程分析 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 硅片超精密加工机理研究 | 第32-44页 |
| ·硅片超精密加工的主要特点 | 第32-34页 |
| ·微量切削 | 第32-33页 |
| ·按进化原理成形 | 第33页 |
| ·多刃多向切削 | 第33-34页 |
| ·化学作用 | 第34页 |
| ·IC硅衬底的制备的关键技术 | 第34-36页 |
| ·IC硅衬底的制备的关键技术分析 | 第36-43页 |
| ·硅片研磨加工技术 | 第36-38页 |
| ·硅片抛光加工技术 | 第38-40页 |
| ·硅片化学机械平面抛光技术 | 第40-42页 |
| ·硅片的无损伤抛光技术 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 纳米级抛光机的运动轨迹分析 | 第44-49页 |
| ·修正环在线修整的工作原理 | 第44-45页 |
| ·抛光过程的运动分析 | 第45-47页 |
| ·工件的运动关系 | 第45-46页 |
| ·抛光轨迹分析 | 第46-47页 |
| ·工件露边时的材料去除量分析 | 第47页 |
| ·工件平行度的修正 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 影响硅片研磨抛光质量和效率的实验研究 | 第49-62页 |
| ·实验基础条件 | 第49-50页 |
| ·实验工作环境要求 | 第50-51页 |
| ·单晶硅片研磨实验及分析 | 第51-56页 |
| ·硅片粘贴 | 第51-52页 |
| ·本实验硅片研磨工艺参数 | 第52页 |
| ·硅片研磨工艺实验及分析 | 第52-56页 |
| ·单晶硅片抛光实验及分析 | 第56-60页 |
| ·影响硅片抛光质量和抛光效率的因素 | 第56-59页 |
| ·本实验硅片抛光工艺参数 | 第59-60页 |
| ·硅片抛光工艺实验及分析 | 第60页 |
| ·硅抛光片的清洗 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·对论文工作的总结 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 作者在攻读工程硕士学位期间发表的论文 | 第69-70页 |
