PVDF压电传感器及其在液体压力激波测试中的应用研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| ·先进制造技术发展概述 | 第16页 |
| ·激波产生方式及其在加工中的应用研究 | 第16-19页 |
| ·液体压力激波系统 | 第19-23页 |
| ·激励电源 | 第20页 |
| ·激波发生器 | 第20-22页 |
| ·控制系统 | 第22-23页 |
| ·激波特性的测试研究 | 第23-24页 |
| ·课题来源及其研究意义 | 第24-25页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第25-26页 |
| 第二章 液体激波压力理论分析 | 第26-42页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·非线性理论分析 | 第26-27页 |
| ·KZK 方程计算方法 | 第27-31页 |
| ·算法流程 | 第27-28页 |
| ·KZK 方程转换和边界条件 | 第28-31页 |
| ·平面活塞声场各因素影响计算分析 | 第31-40页 |
| ·衍射扩散 | 第31-33页 |
| ·吸收耗散衰减 | 第33-35页 |
| ·非线性影响 | 第35-38页 |
| ·综合影响计算结果 | 第38-40页 |
| ·总结分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 PVDF 薄膜的压电特性分析 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·压电效应及常见压电材料 | 第42-45页 |
| ·压电效应 | 第42-43页 |
| ·常见压电材料及特点 | 第43-44页 |
| ·PVDF 压电薄膜主要特性 | 第44-45页 |
| ·PVDF 压电薄膜研究现状 | 第45-48页 |
| ·工业测量、自动控制方面 | 第45-46页 |
| ·医用传感器 | 第46-47页 |
| ·电声器件 | 第47页 |
| ·冲击、爆炸测试领域 | 第47页 |
| ·国内研究现状 | 第47-48页 |
| ·PVDF 压电方程及测量原理 | 第48-51页 |
| ·压电方程 | 第48-50页 |
| ·PVDF 压电传感器测量模式 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 PVDF 压电传感器设计及标定 | 第52-73页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·PVDF 压电传感器设计 | 第52-56页 |
| ·PVDF 压电敏感元件设计 | 第52-54页 |
| ·传感器整体结构设计 | 第54-56页 |
| ·PVDF 压电传感器标定 | 第56-70页 |
| ·标定系统原理 | 第56-57页 |
| ·Hopkinson 压杆系统介绍 | 第57-59页 |
| ·标定试验 | 第59-62页 |
| ·错误及误差较大数据剔除 | 第62-64页 |
| ·标定结果 | 第64-65页 |
| ·标定实验精度改进措施 | 第65-69页 |
| ·标定实验结果误差分析 | 第69-70页 |
| ·对比实验验证 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 液体压力激波特性测试研究 | 第73-90页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·测试系统 | 第73-75页 |
| ·测试系统原理 | 第73-74页 |
| ·测试系统参数 | 第74-75页 |
| ·激波衰减测试 | 第75-77页 |
| ·激励电压影响测试分析 | 第77-81页 |
| ·理论分析 | 第78页 |
| ·测试结果及分析 | 第78-80页 |
| ·单晶硅激波刻蚀速度与激波压力对比试验 | 第80-81页 |
| ·激励时间影响测试分析 | 第81-82页 |
| ·传感器阵列测试 | 第82-85页 |
| ·单阵元平面发生器系统 | 第82-83页 |
| ·单阵元聚焦发生器系统 | 第83-84页 |
| ·回波现象 | 第84-85页 |
| ·阵元个数影响测试分析 | 第85-87页 |
| ·理论分析 | 第85-86页 |
| ·测试结果及分析 | 第86-87页 |
| ·压电陶瓷与PVDF 压电传感器测试结果对比分析 | 第87-89页 |
| ·压电陶瓷压力测试 | 第87-88页 |
| ·对比分析 | 第88-89页 |
| ·测量误差分析 | 第89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 本课题研究总结与展望 | 第90-93页 |
| ·论文完成的主要研究工作 | 第90-91页 |
| ·后续研究工作展望 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第98-99页 |
| 附录 | 第99-102页 |
