| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 概述 | 第13-30页 |
| ·磁性半导体概述 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体中的磁性模型 | 第15-23页 |
| ·双交换作用 | 第15-17页 |
| ·超交换作用 | 第17-19页 |
| ·RKKY理论 | 第19-21页 |
| ·束缚磁极化子模型(BMP) | 第21-23页 |
| ·稀磁半导体的光学、磁光与输运性质 | 第23-25页 |
| ·光吸收特性 | 第23页 |
| ·巨法拉第旋转效应 | 第23-24页 |
| ·巨负磁阻效应 | 第24-25页 |
| ·绝缘体-金属转变 | 第25页 |
| ·霍尔效应 | 第25页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 样品的制备和测试 | 第30-57页 |
| ·溶胶—凝胶(sol-gel )法概述 | 第30-34页 |
| ·Sol-Gel的基本方法 | 第30-33页 |
| ·溶胶—凝胶法的特点 | 第33页 |
| ·样品的制备 | 第33-34页 |
| ·水热法 | 第34-38页 |
| ·水热法与其它制备氧化物的方法主要的不同点: | 第34-35页 |
| ·水热法制备样品的主要控制因素 | 第35页 |
| ·水热法的优点 | 第35-36页 |
| ·纳米粒子的形貌控制 | 第36-38页 |
| ·样品测试与表征 | 第38-54页 |
| ·X-ray衍射(XRD) | 第38-39页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第39-42页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| ·透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SEAD) | 第43-44页 |
| ·磁性测量 | 第44-48页 |
| ·薄膜电阻温度系数的测量 | 第48页 |
| ·膜厚的测量方法 | 第48-49页 |
| ·紫外-可见吸收光谱法 | 第49-50页 |
| ·拉曼发光光谱学(Raman) | 第50-51页 |
| ·荧光光谱 | 第51-52页 |
| ·椭偏仪 | 第52页 |
| ·核磁共振与物质结构研究 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第三章 溶胶—凝胶法制备稀磁性半导体Co_xSn_(1-x)O_2粉末和薄膜样品 | 第57-76页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·溶胶—凝胶法制备的粉末样品 | 第58-63页 |
| ·样品的热重和差热分析 | 第58-59页 |
| ·X-ray衍射研究 | 第59-61页 |
| ·高分辨电镜(HRTEM)研究 | 第61-62页 |
| ·磁性 | 第62-63页 |
| ·旋涂法制备的薄膜样品 | 第63-72页 |
| ·X-ray衍射研究 | 第64-65页 |
| ·高分辨电镜(HRTEM)研究 | 第65-66页 |
| ·Co_(0.08)Sn_(0.92)O_2薄膜X射线光电子谱(XPS)表征 | 第66-67页 |
| ·核磁共振(NMR)波谱.仪研究 | 第67页 |
| ·不同衬底上的Co_xSn_(1-x)O_2薄膜的X-ray衍射研究 | 第67-68页 |
| ·不同衬底上的Co_(0.08)Sn_(0.92)O_2薄膜的VSM研究 | 第68-69页 |
| ·Co_(0.046)Sn_(0.954)O_2薄膜的超导量子干涉仪(SQUID)研究 | 第69-70页 |
| ·回火实验验证氧空位对Co_xSn_(1-x)O_2薄膜的磁性的影响 | 第70-71页 |
| ·紫外可见光谱分析 | 第71-72页 |
| ·粉末和薄膜样品结构和磁性的比较 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第四章 溶胶—凝胶法制备的稀释磁性半导体(In_(1-x-y)Tb_xSn_y)_2O_3薄膜的结构、磁性和电性研究 | 第76-89页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·溶胶—凝胶法制备Tb-ITO薄膜样品 | 第77页 |
| ·X-ray衍射研究 | 第77-81页 |
| ·(In_(1-x-y)Tb_xSn_y)_2O_3薄膜X射线光电子谱(XPS)表征 | 第81-82页 |
| ·不同Tb掺杂量的(In_(0.9-x)Tb_xSn_(0.1))_2O_3薄膜的磁性和电性 | 第82-84页 |
| ·磁性研究 | 第82-83页 |
| ·电性研究 | 第83-84页 |
| ·不同Sn掺杂量的(In_(0.99-y)Tb_(0.01)Sn_y)_2O_3薄膜的磁性和电性测量 | 第84-86页 |
| ·磁性研究 | 第84-85页 |
| ·电性研究 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第五章 水热法制备稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xO纳米棒阵列的结构、磁性和光性性质 | 第89-103页 |
| ·引言 | 第89-92页 |
| ·ZnO半导体的性能介绍 | 第89页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第89-90页 |
| ·ZnO低维纳米结构的研究进展 | 第90-92页 |
| ·水热法制备Zn_(1-x)Co_xO纳米棒阵列。 | 第92-96页 |
| ·ZnO种子层的SEM图片 | 第92-93页 |
| ·不同Zn~(2+)浓度的溶液生长的ZnO纳米棒阵列 | 第93-94页 |
| ·不同反应时间的ZnO纳米棒阵列的SEM图 | 第94-95页 |
| ·ZnO纳米棒阵列生长机理 | 第95-96页 |
| ·不同Co掺杂量的ZnO纳米棒阵列的SEM图 | 第96-97页 |
| ·Co-ZnO纳米棒阵列的结构分析 | 第97-99页 |
| ·X-ray衍射和透射电子显微镜和选区电子衍射结果 | 第97-98页 |
| ·拉曼光谱测试结果 | 第98-99页 |
| ·Co-ZnO纳米棒阵列的铁磁性 | 第99-100页 |
| ·Co-ZnO纳米棒阵列的发光性能 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 结论 | 第103-105页 |
| 附录 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
