| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第15-25页 |
| 1.1 纳米级器件及集成电路的发展 | 第15-19页 |
| 1.2 纳米级器件热效应的研究意义 | 第19-21页 |
| 1.3 纳米级器件热效应的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4 论文的结构和内容 | 第23-25页 |
| 第二章 纳米级FinFET器件的自热效应 | 第25-30页 |
| 2.1 自热效应产生的机理 | 第25页 |
| 2.2 自热效应对器件特性的影响 | 第25-28页 |
| 2.3 纳米级FinFET器件的自热效应 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 14nm FinFETs器件的自热效应研究 | 第30-66页 |
| 3.1 14nm FinFETs器件结构TCAD建模 | 第30-35页 |
| 3.1.1 TCAD仿真技术简介 | 第30-32页 |
| 3.1.2 14nm FinFETs器件结构搭建 | 第32-35页 |
| 3.2 14nm FinFETs器件的TCAD仿真 | 第35-42页 |
| 3.2.1 FinFET器件的仿真物理模型 | 第35-38页 |
| 3.2.2 FinFET器件的电学特性仿真校准 | 第38-42页 |
| 3.3 14nm FinFETs器件的热模拟 | 第42-51页 |
| 3.3.1 热物理基础及热力学模型 | 第42-45页 |
| 3.3.2 器件热作用下的温度分布及结果分析 | 第45-48页 |
| 3.3.3 自热效应对FinFET器件开态电流的影响 | 第48-51页 |
| 3.4 影响器件温度及热阻的关键参数分析 | 第51-60页 |
| 3.4.1 器件结构参数对自热效应的影响 | 第52-54页 |
| 3.4.2 源/漏扩展区掺杂对自热效应的影响 | 第54-56页 |
| 3.4.3 材料热导率对自热效应的影响 | 第56-57页 |
| 3.4.4 环境温度对自热效应的影响 | 第57-60页 |
| 3.5 Bulk/SOI FinFETs中的关键散热路径研究 | 第60-65页 |
| 3.5.1 Bulk FinFET器件中的关键散热路径 | 第61-63页 |
| 3.5.2 SOI FinFET器件中的关键散热路径 | 第63-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 纳米级器件自热效应的热模型及优化 | 第66-91页 |
| 4.1 单鳍结构器件的稳态温度模型 | 第66-77页 |
| 4.1.1 热传输方程 | 第66-75页 |
| 4.1.2 模型验证 | 第75-77页 |
| 4.2 多鳍结构器件的等效热阻模型 | 第77-87页 |
| 4.2.1 等效热阻模型 | 第77-84页 |
| 4.2.2 模型验证 | 第84-87页 |
| 4.3 器件的热效应设计优化 | 第87-90页 |
| 4.3.1 单鳍结构器件的热设计优化 | 第87-89页 |
| 4.3.2 多鳍结构器件的热设计优化 | 第89-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章 总结与展望 | 第91-94页 |
| 5.1 总结 | 第91-92页 |
| 5.2 展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 附录 缩略词描述 | 第99-100页 |
| 硕士在读期间科研成果 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
