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基于CMOS工艺的垂直双结单光子成像单元设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-18页
    1.1 单光子探测器研究背景及意义第11-13页
        1.1.1 研究背景第11-12页
        1.1.2 研究意义第12-13页
    1.2 SPAD探测器国内外研究现状及发展趋势第13-16页
        1.2.1 国外研究现状第13-15页
        1.2.2 国内研究现状第15页
        1.2.3 发展趋势第15-16页
    1.3 本文创新点及主要研究内容第16-17页
        1.3.1 本文创新点第16页
        1.3.2 本文研究内容第16-17页
    1.4 论文的主要工作和章节安排第17-18页
第2章 SPAD探测器像素单元的工作原理第18-21页
    2.1 盖革模式的原理第18-19页
    2.2 单光子雪崩二极管探测器的工作原理第19-20页
    2.3 单光子雪崩二极管探测器的成像过程第20-21页
第3章 单光子雪崩光电二极管的物理基础第21-30页
    3.1 SPAD的性能参数第21-24页
        3.1.1 击穿电压第21页
        3.1.2 边缘效应第21页
        3.1.3 光子探测效率(PDE,PhotonDetectionEfficiency)第21-22页
        3.1.4 暗计数率(DCR,DarkCountRate)第22-23页
        3.1.5 后脉冲率第23页
        3.1.6 死时间第23页
        3.1.7 时间分辨率第23-24页
        3.1.8 串扰率第24页
    3.2 淬灭恢复电路第24-28页
        3.2.1 被动式淬灭恢复电路第25-26页
        3.2.2 主动式淬灭恢复电路第26-27页
        3.2.3 门控式淬灭恢复电路第27-28页
    3.3 计数电路第28-29页
    3.4 小结第29-30页
第4章 单光子雪崩光电二极管的优化与设计第30-52页
    4.1 雪崩光电二极管器件的结构介绍第30-34页
        4.1.1 SPAD的台式型与平面型结构第30-31页
        4.1.2 SPAD的保护环结构第31-32页
        4.1.3 堆叠结型的SPAD结构第32-34页
    4.2 SPAD的结构设计第34-35页
    4.3 SPAD结构特性的仿真第35-48页
        4.3.1 SilvacoTCAD仿真软件的介绍第35-36页
        4.3.2 SPAD结构的仿真第36-38页
        4.3.3 SPAD结构的V—I特性仿真第38-39页
        4.3.4 SPAD的电场分布仿真第39-40页
        4.3.5 SPAD的碰撞产生率的仿真第40-41页
        4.3.6 SPAD的雪崩产生率的仿真第41-43页
        4.3.7 PDE的仿真和计算第43-45页
        4.3.8 DCR的仿真和计算第45-48页
    4.4 PDE性能的优化第48-51页
        4.4.1 PDE增强机制第48-49页
        4.4.2 仿真验证第49-51页
    4.5 小结第51-52页
第5章 SPAD淬灭恢复电路的设计与仿真第52-64页
    5.1 SPAD等效电路模型第52-56页
        5.1.1 SPAD的简单等效电路第52-53页
        5.1.2 改进的SPAD等效电路模型第53-56页
    5.2 淬灭恢复电路的设计和仿真第56-61页
        5.2.1 主动式淬灭恢复电路的设计第56-58页
        5.2.2 延时电路的设计第58-59页
        5.2.3 淬灭恢复电路的整体设计第59-61页
    5.3 SPAD像素单元版图的设计第61-63页
    5.4 小结第63-64页
第6章 总结与展望第64-66页
    6.1 总结第64-65页
    6.2 展望第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-72页
附录 :作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目第72页

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