| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 过渡金属二硫化物二维材料的性能及应用 | 第12-20页 |
| 1.2.1 TMDs的电子学性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 TMDs的光学性能 | 第14-16页 |
| 1.2.3 TMDs的机械性能 | 第16页 |
| 1.2.4 TMDs的催化性能 | 第16-17页 |
| 1.2.5 TMDs的应用 | 第17-20页 |
| 1.3 原子层厚过渡金属二硫化物材料及合金的制备方法 | 第20-27页 |
| 1.3.1 二维过渡金属二硫化物的制备及表征 | 第20-24页 |
| 1.3.2 渡族金属硫族化合物合金材料的理论计算 | 第24-25页 |
| 1.3.3 二维过渡金属二硫化物合金的生长及形貌表征 | 第25-27页 |
| 1.4 CVD制备二维过渡金属二硫化物的生长机理 | 第27-35页 |
| 1.5 实验设备 | 第35-37页 |
| 1.5.1 CVD生长系统 | 第35-36页 |
| 1.5.2 表征设备 | 第36-37页 |
| 1.5.3 理论计算 | 第37页 |
| 1.6 课题研究目的与意义 | 第37-39页 |
| 第二章 二维MoS_2材料的CVD生长动力学 | 第39-67页 |
| 2.1 引言 | 第39-41页 |
| 2.2 基于石墨烯微栅的二维二硫化钼的化学气相沉积制备 | 第41-42页 |
| 2.2.1 石墨烯的转移 | 第41-42页 |
| 2.2.2 MoS_2的制备 | 第42页 |
| 2.3 多层二硫化钼的表征及生长机理分析 | 第42-47页 |
| 2.3.1 多层MoS_2的成核分析 | 第42-46页 |
| 2.3.2 多层MoS_2晶筹的生长机理 | 第46-47页 |
| 2.4 单层二硫化钼的表征及生长机理分析 | 第47-54页 |
| 2.4.1 单层MoS_2的形貌及拉曼分析 | 第47-48页 |
| 2.4.2 单层MoS_2晶筹的边缘、结构和形貌演变 | 第48-50页 |
| 2.4.3 单层MoS_2的边缘结构 | 第50-52页 |
| 2.4.4 单层MoS_2的生长机理 | 第52-54页 |
| 2.5 MoS_2与衬底的关系 | 第54-57页 |
| 2.6 单层MoS_2的晶界生长 | 第57-65页 |
| 2.6.1 小角度晶界 | 第60-61页 |
| 2.6.2 大角度晶界 | 第61-63页 |
| 2.6.3 叠层结构 | 第63-64页 |
| 2.6.4 晶界分析 | 第64-65页 |
| 2.7 本章小结 | 第65-67页 |
| 第三章 取代法制备二维过渡金属二硫化物合金的生长机理 | 第67-79页 |
| 3.1 引言 | 第67-68页 |
| 3.2 实验方法 | 第68-72页 |
| 3.2.1 MoS_2的制备 | 第68-72页 |
| 3.4 Te取代法制备单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金 | 第72-78页 |
| 3.4.1 MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的形貌 | 第72-73页 |
| 3.4.2 MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的结构分析 | 第73-78页 |
| 3.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 个人简历 | 第99-101页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和专利 | 第101页 |
