| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 纳米金刚石 | 第12-21页 |
| 1.1.1 纳米金刚石的结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 纳米金刚石的制备 | 第14-15页 |
| 1.1.3 纳米金刚石的光学性质 | 第15-18页 |
| 1.1.4 表面修饰的纳米金刚石 | 第18-21页 |
| 1.2 碳化硅纳米晶体 | 第21-28页 |
| 1.2.1 碳化硅纳米晶体的结构 | 第22-23页 |
| 1.2.2 碳化硅纳米晶体的性能 | 第23-28页 |
| 1.3 Si_xGe_(1-x)纳米晶体 | 第28-30页 |
| 1.4 本文的研究意义、目的和内容 | 第30-33页 |
| 第二章 纳米金刚烃的结构稳定和电子性质的研究 | 第33-47页 |
| 2.1 研究背景 | 第33-36页 |
| 2.2 方法论 | 第36-38页 |
| 2.2.1 金刚烃命名法 | 第36-37页 |
| 2.2.2 计算方法 | 第37-38页 |
| 2.3 C_nH_m(n=10～36)的稳定性探讨 | 第38-42页 |
| 2.4 C_nH_m(n=37～41)的能隙分布 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 硫修饰纳米金刚烃电子性质及稳定性研究 | 第47-57页 |
| 3.1 研究背景 | 第47-48页 |
| 3.2 计算方法 | 第48页 |
| 3.3 硫吸附在金刚烷表面形成C=S双键的机制 | 第48-49页 |
| 3.4 硫修饰纳米金刚石的结构稳定性 | 第49-50页 |
| 3.5 硫修饰对纳米金刚烃电子性质的调控作用 | 第50-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 氢饱和碳化硅纳米晶体的结构稳定性及电子性质的研究 | 第57-70页 |
| 4.1 研究背景 | 第57页 |
| 4.2 计算方法 | 第57-60页 |
| 4.2.1 第一性原理计算方法 | 第57-58页 |
| 4.2.2 Wang-Landau方法 | 第58-59页 |
| 4.2.3 键能模型 | 第59-60页 |
| 4.3 H-SiCNCs的结构稳定性 | 第60-62页 |
| 4.4 具有特殊形貌的H-SiCNCs的电子性质 | 第62-64页 |
| 4.5 稳定H-SiCNCs的电子性质 | 第64-69页 |
| 4.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 硅锗纳米晶体的结构稳定性和电子性质的研究 | 第70-85页 |
| 5.1 研究背景 | 第70页 |
| 5.2 计算方法 | 第70-71页 |
| 5.3 H-SiGeNCs的搜索 | 第71-72页 |
| 5.4 H-SiGeNCs的稳定性 | 第72-81页 |
| 5.5 H-SiGeNCs的电子性质 | 第81-83页 |
| 5.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-100页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 附件 | 第103页 |