| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 二维层状材料概述 | 第10页 |
| 1.2 单层MoS_2简介 | 第10-16页 |
| 1.2.1 MoS_2的晶体结构及电学性质 | 第10-13页 |
| 1.2.2 层状二硫化钼的制备 | 第13-14页 |
| 1.2.3 二硫化钼的应用 | 第14-16页 |
| 1.3 异质结 | 第16-18页 |
| 1.3.1 形成条件 | 第16页 |
| 1.3.2 晶体管中合适金属电极的选择 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的研究目的及意义 | 第18-20页 |
| 第二章 基本理论与计算软件 | 第20-32页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第20-26页 |
| 2.1.1 基于波函数的第一性原理方法 | 第20-22页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第22-26页 |
| 2.2 非平衡格林函数方法 | 第26-29页 |
| 2.3 计算软件简介 | 第29-32页 |
| 2.3.1 VASP软件简介 | 第29-30页 |
| 2.3.2 ATK软件简介 | 第30-31页 |
| 2.3.3 Nanodcal软件简介 | 第31-32页 |
| 第三章 1T/2HMoS_2异质结界面的静态性质 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-44页 |
| 3.3.1 1T-MoS_2与2H-MoS_2底连接界面模型的构建与选择 | 第34-36页 |
| 3.3.2 底连接异质结的静态性质 | 第36-41页 |
| 3.3.3 1T-MoS_2与2H-MoS_2面连接界面模型的构建与选择 | 第41页 |
| 3.3.4 结构AC界面的静态性质 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 1T/2HMoS_2异质结的动态性质 | 第46-54页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 计算模拟方法 | 第46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-51页 |
| 4.3.1 MoS_2场效应晶体管模型的建立 | 第46-47页 |
| 4.3.2 器件的输运性质 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第66页 |