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高速InGaAs单光子探测器设计

目录第4-6页
CONTENTS第6-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第10-14页
    1.1 研究背景第10-11页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第11-13页
    1.3 论文结构第13-14页
第二章 红外单光子探测器原理第14-20页
    2.1 量子保密通信第14-15页
        2.1.1 传统密码体制第14页
        2.1.2 量子保密通信理论基础第14-15页
    2.2 基于雪崩光电二极管的单光子探测第15-16页
        2.2.1 雪崩光电二极管工作原理第15页
        2.2.2 雪崩光电二极管的特性参数第15-16页
    2.3 InGaAs APD及1550nm单光子探测第16-19页
        2.3.1 硅(Si)APD第16-17页
        2.3.2 锗(Ge)APD第17-18页
        2.3.3 InGaAs/InP APD第18-19页
    2.4 本章小结第19-20页
第三章 正弦门控单光子探测器设计第20-42页
    3.1 正弦门控工作模式第20-21页
    3.2 系统总体架构及性能要求第21-22页
    3.3 系统各功能模块设计第22-41页
        3.3.1 低温恒温槽第22-24页
        3.3.2 直流偏置电压源第24-26页
        3.3.3 正弦门控信号源第26-30页
        3.3.4 低通滤波器与带阻滤波器第30页
        3.3.5 功率放大器第30-32页
        3.3.6 APD信号提取电路第32-36页
        3.3.7 APD信号计数电路第36-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第四章 PCB的设计与系统调试第42-55页
    4.1 设计规则第42-43页
    4.2 相关设计流程第43页
    4.3 调试与分析第43-54页
        4.3.1 单光子探测器测试方案第43-50页
        4.3.2 系统关键模块测试结果第50-53页
        4.3.3 单光子探测实验参数设定及结果分析第53-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 结论第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第61-62页
学位论文评阅及答辩情况表第62页

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