| 目录 | 第4-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 | 第11-13页 |
| 1.3 论文结构 | 第13-14页 |
| 第二章 红外单光子探测器原理 | 第14-20页 |
| 2.1 量子保密通信 | 第14-15页 |
| 2.1.1 传统密码体制 | 第14页 |
| 2.1.2 量子保密通信理论基础 | 第14-15页 |
| 2.2 基于雪崩光电二极管的单光子探测 | 第15-16页 |
| 2.2.1 雪崩光电二极管工作原理 | 第15页 |
| 2.2.2 雪崩光电二极管的特性参数 | 第15-16页 |
| 2.3 InGaAs APD及1550nm单光子探测 | 第16-19页 |
| 2.3.1 硅(Si)APD | 第16-17页 |
| 2.3.2 锗(Ge)APD | 第17-18页 |
| 2.3.3 InGaAs/InP APD | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 正弦门控单光子探测器设计 | 第20-42页 |
| 3.1 正弦门控工作模式 | 第20-21页 |
| 3.2 系统总体架构及性能要求 | 第21-22页 |
| 3.3 系统各功能模块设计 | 第22-41页 |
| 3.3.1 低温恒温槽 | 第22-24页 |
| 3.3.2 直流偏置电压源 | 第24-26页 |
| 3.3.3 正弦门控信号源 | 第26-30页 |
| 3.3.4 低通滤波器与带阻滤波器 | 第30页 |
| 3.3.5 功率放大器 | 第30-32页 |
| 3.3.6 APD信号提取电路 | 第32-36页 |
| 3.3.7 APD信号计数电路 | 第36-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 PCB的设计与系统调试 | 第42-55页 |
| 4.1 设计规则 | 第42-43页 |
| 4.2 相关设计流程 | 第43页 |
| 4.3 调试与分析 | 第43-54页 |
| 4.3.1 单光子探测器测试方案 | 第43-50页 |
| 4.3.2 系统关键模块测试结果 | 第50-53页 |
| 4.3.3 单光子探测实验参数设定及结果分析 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第62页 |