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基于MEMS的高场非对称离子迁移谱的研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6页
1 绪论第8-16页
    1.1 课题研究背景第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-11页
    1.3 FAIMS基本原理第11-13页
    1.4 论文的研究内容和章节安排第13-16页
2 FAIMS的系统搭建第16-28页
    2.1 FAIMS的系统简要构成第16-28页
        2.1.1 结构设计第16-21页
        2.1.2 电气设计第21页
        2.1.3 芯片设计第21-28页
            2.1.3.1 基于硅刻蚀的FAIMS芯片第21-24页
            2.1.3.2 基于深刻电铸镍工艺的FAIMS芯片第24-28页
3 FAIMS电气设计第28-36页
    3.1 FAIMS电气结构第28页
    3.2 高频高压非对称的射频电场第28-33页
        3.2.1 采用高频高压非对称的射频电场的原因第28-29页
        3.2.2 反激式高频高压非对称的射频电场第29-31页
        3.2.3 半桥式高场非对称射频电源第31-33页
    3.3 微流放大电路第33-36页
4 高气压对FAIMS的影响第36-48页
    4.1 高气压对分离效果的影响第36-38页
    4.2 高气压对锋位置的影响[36,37]第38-42页
    4.3 高气压对分辨率的影响第42-45页
    4.4 高气压对峰高的影响第45-46页
    4.5 高气压对FAIMS性能影响的总结第46-48页
5 总结与展望第48-50页
    5.1 论文主要研究内容和成果第48-49页
    5.2 论文的不足之处及进一步工作第49-50页
6 参考文献第50-56页
7 作者简介第56页

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