| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第9页 |
| 1.2 GMR效应 | 第9-11页 |
| 1.3 TMR效应 | 第11-13页 |
| 1.4 自旋电子学应用 | 第13-14页 |
| 1.5 半金属磁体 | 第14-15页 |
| 1.6 CrO_2的物理、化学性质 | 第15-17页 |
| 1.7 论文的立意与安排 | 第17-19页 |
| 第2章 计算及实验的理论基础和方法 | 第19-25页 |
| 2.1 基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第19-20页 |
| 2.2 VASP | 第20页 |
| 2.3 薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.4 薄膜的表征 | 第22-25页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.4.2 振动样品磁强计(VSM) | 第23页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第23-25页 |
| 第3章 掺杂CrO_2半金属性和磁性能 | 第25-40页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 理论模型与方法 | 第26-27页 |
| 3.3 Ti、Sn、Ru掺杂CrO_2的电子结构 | 第27-37页 |
| 3.3.1 均匀掺杂 | 第27-35页 |
| 3.3.2 非均匀掺杂 | 第35-37页 |
| 3.4 Ti、Sn、Ru掺杂CrO_2的磁性特征 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 CrO_2薄膜的制备及磁性能 | 第40-49页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 CrO_2单晶薄膜制备方法 | 第40-41页 |
| 4.3 不同衬底(110)晶面CrO_2薄膜 | 第41-45页 |
| 4.4 不同厚度TiO_2(100)/SnO_2/CrO_2薄膜 | 第45-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 Sn掺杂CrO_2薄膜磁性分析 | 第49-58页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 Sn掺杂CrO_2薄膜的制备 | 第49-50页 |
| 5.3 (110)晶面不同厚度 4.5%Sn掺杂CrO_2薄膜 | 第50-55页 |
| 5.4 (110)晶面不同浓度Sn掺杂CrO_2薄膜 | 第55-57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第66页 |
