| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11-17页 |
| 1.1.1 碳化硅功率器件 | 第11-13页 |
| 1.1.2 SiC MOSFET驱动电路 | 第13-16页 |
| 1.1.3 SiC MOSFET开关过程振荡问题 | 第16-17页 |
| 1.2 本文研究内容 | 第17-19页 |
| 2 SIC MOSFET驱动电路设计 | 第19-37页 |
| 2.1 SIC MOSFET特性及驱动电路基本参数 | 第19-22页 |
| 2.1.1 设计要求 | 第19-20页 |
| 2.1.2 驱动电压 | 第20-21页 |
| 2.1.3 驱动电阻 | 第21-22页 |
| 2.1.4 驱动电流 | 第22页 |
| 2.2 隔离方式 | 第22-24页 |
| 2.3 保护功能 | 第24-27页 |
| 2.3.1 脉冲及故障处理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 欠压保护 | 第25-26页 |
| 2.3.3 栅源保护 | 第26页 |
| 2.3.4 软关断 | 第26-27页 |
| 2.4 电源设计 | 第27-28页 |
| 2.5 驱动电路实验测试 | 第28-36页 |
| 2.5.1 弱电实验测试 | 第29-32页 |
| 2.5.2 双脉冲实验测试 | 第32-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 SIC MOSFET短路保护研究 | 第37-55页 |
| 3.1 短路保护检测电路工作原理 | 第37-42页 |
| 3.2 不同故障情况分析 | 第42-48页 |
| 3.2.1 故障情况分类 | 第42-43页 |
| 3.2.2 故障仿真分析 | 第43-44页 |
| 3.2.3 故障实验 | 第44-48页 |
| 3.3 延迟时间分析 | 第48-52页 |
| 3.3.1 延迟时间仿真 | 第48-50页 |
| 3.3.2 延迟时间实验 | 第50-52页 |
| 3.4 短路检测电路参数设置方法 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 SIC MOSFET开关振荡分析 | 第55-71页 |
| 4.1 开关瞬间电流高频振荡 | 第56-57页 |
| 4.2 开通振荡 | 第57-60页 |
| 4.3 关断振荡 | 第60-70页 |
| 4.3.1 影响因素 | 第61-65页 |
| 4.3.2 原因分析 | 第65-69页 |
| 4.3.3 改善方法 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 5 结论 | 第71-73页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第71页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第77-81页 |
| 学位论文数据集 | 第81页 |