基于RRAM模拟电路模块的研究与设计
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-21页 |
| 1.1.1 新型非挥发存储器 | 第14-18页 |
| 1.1.2 半导体存储器的性能指标 | 第18-19页 |
| 1.1.3 选题意义 | 第19-21页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第21-22页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.2 发展趋势 | 第22页 |
| 1.3 论文内容及结构 | 第22-24页 |
| 2 阻变随机存储器概述 | 第24-38页 |
| 2.1 阻变随机存储器的阻变机理 | 第24-28页 |
| 2.1.1 导电细丝机制 | 第24-26页 |
| 2.1.2 界面势垒机制 | 第26页 |
| 2.1.3 电荷缺陷机制 | 第26-28页 |
| 2.2 存储单元的结构 | 第28-32页 |
| 2.2.1 1R结构 | 第29-30页 |
| 2.2.2 1S1R结构 | 第30-31页 |
| 2.2.3 1T1R结构 | 第31-32页 |
| 2.3 阻变随机存储器中的操作 | 第32-34页 |
| 2.4 阻变随机存储器的设计要点 | 第34-36页 |
| 2.4.1 多电压值需求和电源管理模块 | 第34页 |
| 2.4.2 过写和写验证 | 第34-36页 |
| 2.4.3 读干扰和灵敏单端读出 | 第36页 |
| 2.4.4 模型缺失和研究 | 第36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 3 阻变随机存储器中的电源管理模块 | 第38-72页 |
| 3.1 电源管理模块概述 | 第38-39页 |
| 3.2 LDO的基本模块 | 第39-48页 |
| 3.2.1 LDO的工作原理 | 第39-40页 |
| 3.2.2 LDO的性能指标 | 第40-42页 |
| 3.2.3 带隙基准电路及其原理 | 第42-46页 |
| 3.2.4 误差放大器 | 第46-47页 |
| 3.2.5 调整管 | 第47-48页 |
| 3.2.6 设计分析 | 第48页 |
| 3.3 带隙基准电路的设计和仿真 | 第48-58页 |
| 3.3.1 运算放大器的设计 | 第48-50页 |
| 3.3.2 偏置电路的设计 | 第50-51页 |
| 3.3.3 带隙基准启动电路的设计 | 第51-52页 |
| 3.3.4 带隙基准电路的前仿 | 第52-55页 |
| 3.3.5 带隙基准电路的版图设计 | 第55-56页 |
| 3.3.6 带隙基准电路的后仿 | 第56-58页 |
| 3.4 LDO电路的设计和仿真 | 第58-70页 |
| 3.4.1 增益增强结构的误差放大器 | 第58-60页 |
| 3.4.2 全差分运放的共模反馈 | 第60-62页 |
| 3.4.3 稳定性补偿 | 第62-63页 |
| 3.4.4 LDO电路的前仿 | 第63-67页 |
| 3.4.5 LDO电路的版图设计 | 第67页 |
| 3.4.6 LDO电路的后仿 | 第67-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 4 阻变随机存储器中的读出电路 | 第72-82页 |
| 4.1 传统的读出电路 | 第72-74页 |
| 4.1.1 电流型读出电路 | 第72-73页 |
| 4.1.2 电压型读出电路 | 第73-74页 |
| 4.2 阻变随机存储器读出电路的探究 | 第74-76页 |
| 4.2.1 预充电提高读取速度 | 第74-75页 |
| 4.2.2 读出电路的实现方法 | 第75-76页 |
| 4.3 阻变随机存储器读出电路的版图设计 | 第76页 |
| 4.4 阻变随机存储器读出电路的仿真 | 第76-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-82页 |
| 5 阻变随机存储器中的器件模型 | 第82-90页 |
| 5.1 器件模型概述 | 第82-83页 |
| 5.2 建模的过程 | 第83-86页 |
| 5.2.1 粒子运动的描述 | 第83-84页 |
| 5.2.2 模型的描述 | 第84-86页 |
| 5.3 器件模型的仿真 | 第86-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 6 总结与展望 | 第90-92页 |
| 6.1 全文总结 | 第90-91页 |
| 6.2 展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第96-100页 |
| 学位论文数据集 | 第100页 |
