| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 Ga N HEMT在微波领域的研究与应用进展 | 第11-15页 |
| 1.2.2 Ga N HEMT在功率领域的研究与应用进展 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的研究内容与结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构与工作原理 | 第18-26页 |
| 2.1 III族氮化物的极化效应 | 第18-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结构二维电子气的产生原理 | 第21-23页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件结构和解析模型 | 第23-26页 |
| 第三章 抑制短沟道效应AlGaN/GaN HEMT器件新结构研究 | 第26-39页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT短沟道效应概述 | 第26-28页 |
| 3.2 抑制短沟道效应的复合金属栅AlGaN/GaN HEMT的优化设计 | 第28-33页 |
| 3.2.1 复合金属栅AlGaN/GaN HEMT器件建模 | 第28-29页 |
| 3.2.2 复合金属栅AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第29-31页 |
| 3.2.3 复合金属栅对AlGaN/GaN HEMT电学特性的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 复合栅介质层的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件研究 | 第33-38页 |
| 3.3.1 复合栅介质层AlGaN/GaN MIS-HEMT器件建模 | 第33-35页 |
| 3.3.2 复合栅介质层AlGaN/GaN MIS-HEMT工作原理 | 第35-36页 |
| 3.3.3 复合栅介质层对AlGaN/GaN MIS-HEMT电学特性的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件耐压新结构研究 | 第39-55页 |
| 4.1 复合势垒层AlGaN/GaN HEMT的优化设计 | 第39-50页 |
| 4.1.1 高耐压复合势垒层AlGaN/GaN HEMT器件建模与工作原理 | 第39-42页 |
| 4.1.2 高耐压复合势垒层AlGaN/GaN HEMT的结构参数优化 | 第42-45页 |
| 4.1.3 复合势垒层AlGaN/GaN HEMT短沟道效应抑制机理研究 | 第45-49页 |
| 4.1.4 抑制短沟道效应复合势垒层AlGaN/GaN器件的电学特性 | 第49-50页 |
| 4.2 负离子注入钝化层AlGaN/GaN HEMT器件结构研究 | 第50-54页 |
| 4.2.1 负离子注入钝化层AlGaN/GaN HEMT器件建模与工作原理 | 第51-52页 |
| 4.2.2 负离子注入钝化层对AlGaN/GaN HEMT特性的影响 | 第52-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 增强型AlGaN/GaN HEMT器件新结构研究 | 第55-63页 |
| 5.1 AlGaN/GaN HEMT增强型结构概述 | 第55-56页 |
| 5.2 复合沟道层AlGaN/GaN HEMT增强型器件研究 | 第56-59页 |
| 5.2.1 复合沟道层AlGaN/GaN HEMT器件建模 | 第56-57页 |
| 5.2.2 复合沟道层AlGaN/GaN HEMT电学特性 | 第57-59页 |
| 5.3 基于GOI技术的增强型AlGaN/GaN MIS-HEMT器件研究 | 第59-62页 |
| 5.3.1 基于GOI技术的增强型AlGaN/GaN MIS-HEMT器件建模 | 第59-60页 |
| 5.3.2 基于GOI技术的增强型AlGaN/GaN MIS-HEMT电学特性 | 第60-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-76页 |
