600V逆导型FS-IGBT设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第10-11页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第11-14页 |
| 1.3 逆导型IGBT的发展 | 第14-15页 |
| 1.4 本课题的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 RC-IGBT基本理论 | 第17-31页 |
| 2.1 逆导型FS-IGBT器件结构 | 第17-18页 |
| 2.2 逆导型FS-IGBT的静态特性 | 第18-23页 |
| 2.2.1 阻断特性 | 第18-20页 |
| 2.2.2 正向导通 | 第20-22页 |
| 2.2.3 反向导通 | 第22-23页 |
| 2.3 逆导型FS-IGBT的动态特性 | 第23-27页 |
| 2.3.1 IGBT动态特性 | 第23-25页 |
| 2.3.2 FRD动态特性 | 第25-27页 |
| 2.4 终端技术 | 第27-30页 |
| 2.4.1 场限环技术 | 第28页 |
| 2.4.2 场板技术 | 第28-29页 |
| 2.4.3 场板加场限环技术 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 FS-IGBT元胞设计 | 第31-41页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第31-33页 |
| 3.2 FS-IGBT元胞设计 | 第33-40页 |
| 3.2.1 外延参数 | 第33-35页 |
| 3.2.2 Pbody参数 | 第35-36页 |
| 3.2.2.1 Pbody注入剂量 | 第35-36页 |
| 3.2.2.2 Pbody推结时间 | 第36页 |
| 3.2.3 FS层参数 | 第36-38页 |
| 3.2.3.1 FS层电阻率 | 第36-38页 |
| 3.2.3.2 FS层厚度 | 第38页 |
| 3.2.4 元胞宽度 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 RC-IGBT设计 | 第41-59页 |
| 4.1 消除snapback现象 | 第41-43页 |
| 4.2 RC-IGBT静态特性 | 第43-47页 |
| 4.2.1 RC-IGBT阻断 | 第43-45页 |
| 4.2.2 RC-IGBT正向导通 | 第45-47页 |
| 4.2.3 RC-IGBT反向导通 | 第47页 |
| 4.3 RC-IGBT动态特性 | 第47-53页 |
| 4.3.1 IGBT模式关断特性 | 第48-50页 |
| 4.3.2 FRD模式关断特性 | 第50-53页 |
| 4.4 RC-IGBT终端设计 | 第53-56页 |
| 4.5 RC-IGBT版图设计 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
