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几种分子/离子印迹电化学传感器的研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第13-23页
    1 分子印迹技术第13-16页
        1.1 分子印迹技术的原理及分类第13-14页
        1.2 制备分子印迹聚合物的基本要素第14-16页
            1.2.1 模板第14-15页
            1.2.2 功能单体第15页
            1.2.3 交联剂第15-16页
            1.2.4 致孔剂第16页
            1.2.5 引发剂第16页
    2 分子印迹电化学传感器第16-21页
        2.1 检测原理第16-17页
        2.2 制备方法第17页
            2.2.1 直接法第17页
            2.2.2 间接法第17页
        2.3 检测方式第17-21页
            2.3.1 基于目标分子与MIPs结合的检测法第18-19页
            2.3.2 基于目标分子本身的检测法第19-20页
            2.3.3 竞争检测法第20页
            2.3.4 探针检测法第20-21页
        2.4 存在问题和发展趋势第21页
    3 论文研究目的和主要内容第21-23页
第二章 基于碳纳米管修饰的白藜芦醇分子印迹传感器的研究第23-35页
    1 前言第23页
    2 实验部分第23-25页
        2.1 仪器与试剂第23-24页
        2.2 样品的处理第24页
        2.3 碳纳米管修饰电极的制备第24页
        2.4 RES印迹或非印迹传感器的制备第24-25页
        2.5 实验方法第25页
    3 结果与讨论第25-34页
        3.1 传感器制备条件优化第25-28页
            3.1.1 功能单体种类及比例的优化第25-27页
            3.1.2 RES与交联剂摩尔比的优化第27页
            3.1.3 洗脱剂及洗脱时间的选择第27-28页
        3.2 MWCNTs及RES印迹与非印迹膜的结构与形貌表征第28-29页
        3.3 RES-MIM/MWCNTs/GCE的电化学表征第29-30页
        3.4 平衡时间的选择第30-31页
        3.5 RES-MIM/MWCNTs/GCE测定RES的工作曲线和检出限第31-32页
        3.6 RES-MIM/MWCNTs/GCE的选择性第32-33页
        3.7 RES-MIM/MWCNTs/GCE的稳定性与重现性第33页
        3.8 传感器用于实际样品的检测第33-34页
    4 结论第34-35页
第三章 丹参酮分子印迹电化学传感器的制备与应用第35-47页
    1 前言第35页
    2 实验部分第35-37页
        2.1 仪器与试剂第35-36页
        2.2 样品处理第36页
        2.3 TSⅡ_A分子印迹传感器的制备第36-37页
        2.4 实验方法第37页
    3 结果与讨论第37-45页
        3.1 TSⅡ_A-MIM/GCE的制备条件优化第37-40页
            3.1.1 功能单体种类及比例的优化第37-39页
            3.1.2 TSⅡ_A与交联剂摩尔比的优化第39-40页
            3.1.3 洗脱剂及洗脱时间的优化第40页
        3.2 TSⅡ_A-MIM的表征第40-43页
            3.2.1 TSⅡ_A-MIM及NIM的SEM表征第40-42页
            3.2.2 TSⅡ_A-MIM/GCE和NIM/GCE的电化学表征第42-43页
        3.3 平衡时间对传感器响应灵敏度的影响第43页
        3.4 TSⅡ-A-MIM/GCE的线性范围和检出限第43-44页
        3.5 传感器的选择性第44-45页
        3.6 传感器的稳定性与重现性第45页
        3.7 TSⅡ_A-MIM/GCE用于实际样品的检测第45页
    4 结论第45-47页
第四章 以2-苯乙胺为假模板的分子印迹碳糊电极的制备及其在测定甲基苯丙胺中的应用第47-59页
    1 引言第47-48页
    2 实验部分第48-49页
        2.1 仪器和试剂第48页
        2.2 样品的处理第48-49页
        2.3 印迹聚合物MIP和非印迹聚合物NIP的制备第49页
        2.4 MIP-CPE、NIP-CPE和CPE的制作第49页
        2.5 实验方法第49页
    3 结果与讨论第49-58页
        3.1 以2-苯乙胺为假模板的MIP的合成条件优化第49-52页
            3.1.1 功能单体种类的优化第49-50页
            3.1.2 其他合成条件的正交试验设计优化第50-52页
        3.2 MIP与石墨质量比的优化第52页
        3.3 检测条件的优化第52-53页
            3.3.1 支持电解质的优化第52-53页
            3.3.2 孵化时间的优化第53页
        3.4 MIP、NIP及MIP-CPE的表征第53-55页
            3.4.1 MIP和NIP的SEM及红外谱图表征第53-54页
            3.4.2 MIP-CPE的电化学表征第54-55页
        3.5 MIP-CPE的分析性能第55-58页
            3.5.1 MIP-CPE的线性范围和检出限第55-57页
            3.5.2 MIP-CPE的选择性、稳定性与重现性第57-58页
        3.6 MIP-CPE用于样品的检测第58页
    4 结论第58-59页
第五章 钯离子印迹碳糊传感器的制备与应用第59-72页
    1 前言第59页
    2 实验部分第59-61页
        2.1 仪器与试剂第59-60页
        2.2 IIP和NIP的制备第60页
        2.3 IIP-CPE及NIP-CPE和CPE的制作第60-61页
        2.4 实验方法第61页
        2.5 样品处理第61页
    3 结果与讨论第61-71页
        3.1 IIP的制备条件优化第61-64页
            3.1.1 功能单体种类及比例的优化第61-63页
            3.1.2 交联剂用量的优化第63-64页
        3.2 IIP或NIP与石墨质量比的优化第64-65页
        3.3 检测条件的优化第65-66页
            3.3.1 缓冲体系及pH的优化第65页
            3.3.2 工作电位的优化第65-66页
        3.4 IIP、NIP及IIP-CPE的表征第66-68页
            3.4.1 IIP和NIP的SEM表征第66-67页
            3.4.2 电化学表征第67-68页
        3.5 传感器的分析性能第68-70页
            3.5.1 传感器计时曲线、IIP-CPE的工作曲线和检出限第68-69页
            3.5.2 IIP-CPE的选择性第69-70页
            3.5.3 IIP-CPE的稳定性与重现性第70页
        3.6 IIP-CPE对实际样品的检测第70-71页
    4 结论第71-72页
参考文献第72-84页
附录第84-85页
致谢第85页

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