摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第13-23页 |
1 分子印迹技术 | 第13-16页 |
1.1 分子印迹技术的原理及分类 | 第13-14页 |
1.2 制备分子印迹聚合物的基本要素 | 第14-16页 |
1.2.1 模板 | 第14-15页 |
1.2.2 功能单体 | 第15页 |
1.2.3 交联剂 | 第15-16页 |
1.2.4 致孔剂 | 第16页 |
1.2.5 引发剂 | 第16页 |
2 分子印迹电化学传感器 | 第16-21页 |
2.1 检测原理 | 第16-17页 |
2.2 制备方法 | 第17页 |
2.2.1 直接法 | 第17页 |
2.2.2 间接法 | 第17页 |
2.3 检测方式 | 第17-21页 |
2.3.1 基于目标分子与MIPs结合的检测法 | 第18-19页 |
2.3.2 基于目标分子本身的检测法 | 第19-20页 |
2.3.3 竞争检测法 | 第20页 |
2.3.4 探针检测法 | 第20-21页 |
2.4 存在问题和发展趋势 | 第21页 |
3 论文研究目的和主要内容 | 第21-23页 |
第二章 基于碳纳米管修饰的白藜芦醇分子印迹传感器的研究 | 第23-35页 |
1 前言 | 第23页 |
2 实验部分 | 第23-25页 |
2.1 仪器与试剂 | 第23-24页 |
2.2 样品的处理 | 第24页 |
2.3 碳纳米管修饰电极的制备 | 第24页 |
2.4 RES印迹或非印迹传感器的制备 | 第24-25页 |
2.5 实验方法 | 第25页 |
3 结果与讨论 | 第25-34页 |
3.1 传感器制备条件优化 | 第25-28页 |
3.1.1 功能单体种类及比例的优化 | 第25-27页 |
3.1.2 RES与交联剂摩尔比的优化 | 第27页 |
3.1.3 洗脱剂及洗脱时间的选择 | 第27-28页 |
3.2 MWCNTs及RES印迹与非印迹膜的结构与形貌表征 | 第28-29页 |
3.3 RES-MIM/MWCNTs/GCE的电化学表征 | 第29-30页 |
3.4 平衡时间的选择 | 第30-31页 |
3.5 RES-MIM/MWCNTs/GCE测定RES的工作曲线和检出限 | 第31-32页 |
3.6 RES-MIM/MWCNTs/GCE的选择性 | 第32-33页 |
3.7 RES-MIM/MWCNTs/GCE的稳定性与重现性 | 第33页 |
3.8 传感器用于实际样品的检测 | 第33-34页 |
4 结论 | 第34-35页 |
第三章 丹参酮分子印迹电化学传感器的制备与应用 | 第35-47页 |
1 前言 | 第35页 |
2 实验部分 | 第35-37页 |
2.1 仪器与试剂 | 第35-36页 |
2.2 样品处理 | 第36页 |
2.3 TSⅡ_A分子印迹传感器的制备 | 第36-37页 |
2.4 实验方法 | 第37页 |
3 结果与讨论 | 第37-45页 |
3.1 TSⅡ_A-MIM/GCE的制备条件优化 | 第37-40页 |
3.1.1 功能单体种类及比例的优化 | 第37-39页 |
3.1.2 TSⅡ_A与交联剂摩尔比的优化 | 第39-40页 |
3.1.3 洗脱剂及洗脱时间的优化 | 第40页 |
3.2 TSⅡ_A-MIM的表征 | 第40-43页 |
3.2.1 TSⅡ_A-MIM及NIM的SEM表征 | 第40-42页 |
3.2.2 TSⅡ_A-MIM/GCE和NIM/GCE的电化学表征 | 第42-43页 |
3.3 平衡时间对传感器响应灵敏度的影响 | 第43页 |
3.4 TSⅡ-A-MIM/GCE的线性范围和检出限 | 第43-44页 |
3.5 传感器的选择性 | 第44-45页 |
3.6 传感器的稳定性与重现性 | 第45页 |
3.7 TSⅡ_A-MIM/GCE用于实际样品的检测 | 第45页 |
4 结论 | 第45-47页 |
第四章 以2-苯乙胺为假模板的分子印迹碳糊电极的制备及其在测定甲基苯丙胺中的应用 | 第47-59页 |
1 引言 | 第47-48页 |
2 实验部分 | 第48-49页 |
2.1 仪器和试剂 | 第48页 |
2.2 样品的处理 | 第48-49页 |
2.3 印迹聚合物MIP和非印迹聚合物NIP的制备 | 第49页 |
2.4 MIP-CPE、NIP-CPE和CPE的制作 | 第49页 |
2.5 实验方法 | 第49页 |
3 结果与讨论 | 第49-58页 |
3.1 以2-苯乙胺为假模板的MIP的合成条件优化 | 第49-52页 |
3.1.1 功能单体种类的优化 | 第49-50页 |
3.1.2 其他合成条件的正交试验设计优化 | 第50-52页 |
3.2 MIP与石墨质量比的优化 | 第52页 |
3.3 检测条件的优化 | 第52-53页 |
3.3.1 支持电解质的优化 | 第52-53页 |
3.3.2 孵化时间的优化 | 第53页 |
3.4 MIP、NIP及MIP-CPE的表征 | 第53-55页 |
3.4.1 MIP和NIP的SEM及红外谱图表征 | 第53-54页 |
3.4.2 MIP-CPE的电化学表征 | 第54-55页 |
3.5 MIP-CPE的分析性能 | 第55-58页 |
3.5.1 MIP-CPE的线性范围和检出限 | 第55-57页 |
3.5.2 MIP-CPE的选择性、稳定性与重现性 | 第57-58页 |
3.6 MIP-CPE用于样品的检测 | 第58页 |
4 结论 | 第58-59页 |
第五章 钯离子印迹碳糊传感器的制备与应用 | 第59-72页 |
1 前言 | 第59页 |
2 实验部分 | 第59-61页 |
2.1 仪器与试剂 | 第59-60页 |
2.2 IIP和NIP的制备 | 第60页 |
2.3 IIP-CPE及NIP-CPE和CPE的制作 | 第60-61页 |
2.4 实验方法 | 第61页 |
2.5 样品处理 | 第61页 |
3 结果与讨论 | 第61-71页 |
3.1 IIP的制备条件优化 | 第61-64页 |
3.1.1 功能单体种类及比例的优化 | 第61-63页 |
3.1.2 交联剂用量的优化 | 第63-64页 |
3.2 IIP或NIP与石墨质量比的优化 | 第64-65页 |
3.3 检测条件的优化 | 第65-66页 |
3.3.1 缓冲体系及pH的优化 | 第65页 |
3.3.2 工作电位的优化 | 第65-66页 |
3.4 IIP、NIP及IIP-CPE的表征 | 第66-68页 |
3.4.1 IIP和NIP的SEM表征 | 第66-67页 |
3.4.2 电化学表征 | 第67-68页 |
3.5 传感器的分析性能 | 第68-70页 |
3.5.1 传感器计时曲线、IIP-CPE的工作曲线和检出限 | 第68-69页 |
3.5.2 IIP-CPE的选择性 | 第69-70页 |
3.5.3 IIP-CPE的稳定性与重现性 | 第70页 |
3.6 IIP-CPE对实际样品的检测 | 第70-71页 |
4 结论 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-84页 |
附录 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |